Advertisement

Silizium-Halbleitertechnologie

  • Ulrich Hilleringmann

Part of the Teubner-Studienbücher: Elektrotechnik book series (TSTT)

Table of contents

  1. Front Matter
    Pages I-XI
  2. Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-3
  3. Ulrich Hilleringmann
    Pages 4-23
  4. Ulrich Hilleringmann
    Pages 24-36
  5. Ulrich Hilleringmann
    Pages 37-58
  6. Ulrich Hilleringmann
    Pages 59-82
  7. Ulrich Hilleringmann
    Pages 83-111
  8. Ulrich Hilleringmann
    Pages 112-130
  9. Ulrich Hilleringmann
    Pages 131-149
  10. Ulrich Hilleringmann
    Pages 150-160
  11. Ulrich Hilleringmann
    Pages 161-193
  12. Ulrich Hilleringmann
    Pages 194-237
  13. Ulrich Hilleringmann
    Pages 238-251
  14. Ulrich Hilleringmann
    Pages 252-279
  15. Back Matter
    Pages 280-311

About this book

Introduction

Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.

Keywords

Bauelement Elektronik Elektrotechnik Halbleiter Halbleitertechnologie Handel Informatik Montage Physik Schaltung Silizium Technologie Transistor Verfahren elektronische Bauelemente

Authors and affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Universität DortmundDeutschland

Bibliographic information

  • DOI https://doi.org/10.1007/978-3-322-94053-7
  • Copyright Information Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Wiesbaden 1999
  • Publisher Name Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
  • eBook Packages Springer Book Archive
  • Print ISBN 978-3-519-10149-9
  • Online ISBN 978-3-322-94053-7
  • Buy this book on publisher's site
Industry Sectors
Pharma
Automotive
Chemical Manufacturing
Biotechnology
Finance, Business & Banking
Electronics
IT & Software
Telecommunications
Consumer Packaged Goods
Aerospace
Oil, Gas & Geosciences
Engineering