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Ulrich Hilleringmann
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Universität Dortmund, Deutschland
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Table of contents (13 chapters)
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Back Matter
Pages 280-311
About this book
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.
Authors and Affiliations
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Universität Dortmund, Deutschland
Ulrich Hilleringmann
About the author
Priv.-Doz. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann, Leiter der CMOS- Technologielinie, Universität Dortmund