Zusammenfassung
Das Ziel der Depositionsverfahren ist die reproduzierbare Erzeugung homogener partikelfreier Schichten, die eine hohe elektrische Qualität besitzen und gleichzeitig eine geringe Konzentration an Verunreinigungen aufweisen. Diese Schichten sollten sich bei möglichst geringer Temperatur auf allen anderen in der Halbleitertechnologie verwendeten Materialen spannungsfrei abscheiden lassen. Die für diese Zwecke entwickelten Depositionsverfahren lassen sich in chemische und physikalische Abscheidetechniken unterteilen. Sowohl einkristalline als auch polykristalline und amorphe Schichten können mit den verschiedenen Techniken auf die Silizium- bzw. die Scheibenoberfläche aufgebracht werden.
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© 1999 B. G. Teubner Stuttgart · Leipzig
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Hilleringmann, U. (1999). Depositionsverfahren. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Teubner-Studienbücher: Elektrotechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94053-7_7
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Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-10149-9
Online ISBN: 978-3-322-94053-7
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