Zusammenfassung
In der Halbleitertechnologie wird Siliziumdioxid als Hilfsschicht zur Maskierung während der Herstellung der integrierten Schaltungen eingesetzt. Oxidschichten sind aber auch für die elektrische Funktion der Bauelemente erforderlich. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind Verfahren zum Aufbringen von Oxiden auf die Siliziumscheibe entwickelt worden, die sich in Wachstum und Qualität der entstehenden Schicht unterscheiden.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1999 B. G. Teubner Stuttgart · Leipzig
About this chapter
Cite this chapter
Hilleringmann, U. (1999). Oxidation des Siliziums. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Teubner-Studienbücher: Elektrotechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94053-7_3
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-94053-7_3
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-10149-9
Online ISBN: 978-3-322-94053-7
eBook Packages: Springer Book Archive