Zusammenfassung
Ähnlich wie bei den Sperrschichtfeldeffekttransistoren unterscheidet man bei den MOSFET zwei Kennlinienbereiche.
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© 2012 Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden
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Baumann, P. (2012). MOS-Feldeffekttransistoren. In: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0_4
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0_4
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Publisher Name: Springer Vieweg, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-8348-2494-3
Online ISBN: 978-3-8348-2495-0
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