Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Simulation mit PSPICE

  • Peter Baumann

Table of contents

  1. Front Matter
    Pages 1-1
  2. Peter Baumann
    Pages 1-13
  3. Peter Baumann
    Pages 14-38
  4. Peter Baumann
    Pages 39-54
  5. Peter Baumann
    Pages 55-70
  6. Peter Baumann
    Pages 71-80
  7. Peter Baumann
    Pages 81-100
  8. Peter Baumann
    Pages 101-132
  9. Back Matter
    Pages 9-9

About this book

Introduction

Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.

 

Der Inhalt

Halbleiterdioden – Bipolartransistoren – Sperrschicht-Feldeffekttransistoren – Mos-Feldeffekttransisotoren – Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor – Operationsverstärker – Optokoppler

 

Die Zielgruppen

Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten

Ingenieure und Physiker in der Praxis

 

Der Autor

Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Elektronik an der Hochschule Bremen.

Keywords

Bipolartransistor Feldeffekttransistor Halbleiterdiode OrCAD-PSPICE SPICE-Modellparameter Sperrschickt-Feldeffekttransistor

Authors and affiliations

  • Peter Baumann
    • 1
  1. 1.Fak 4 Elektrotechnik InformatikHochschule BremenBremenGermany

Bibliographic information

Industry Sectors
Pharma
Automotive
Chemical Manufacturing
Biotechnology
Electronics
Telecommunications
Consumer Packaged Goods
Aerospace
Oil, Gas & Geosciences