Zusammenfassung
Die in Kapitel 10 behandelte Integrationstechnik für CMOS-Schaltungen ist für minimale Transistorkanallängen bis ca. 1,5 μm geeignet. Eine weitere Miniaturisierung scheidet bei der vorgestellten Prozessführung infolge der begrenzten Auflösung der Fotolithografie, der eingeschränkten Spannungsfestigkeit der MOS-Bauelemente und der wachsenden Bahnwiderstände im Polysilizium aus. Aus diesem Grund sind umfangreiche Änderungen im Prozessablauf erforderlich, um höhere Packungsdichten und schnellere Schaltungen herstellen zu können. Einige grundlegende Techniken werden im Folgenden behandelt.
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© 2004 B.G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
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Hilleringmann, U. (2004). Erweiterungen zur Höchstintegration. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Teubner Studienskripten Soziologie. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8_11
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Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-30149-3
Online ISBN: 978-3-322-94072-8
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