Zusammenfassung
Der hohe Entwicklungsstand der CMOS-Technologie ermöglicht die Integration komplexer digitaler und analoger Schaltungen mit hoher Ausbeute bei Strukturgrößen im tiefen Submikrometerbereich und Packungsdichten von bis zu 5.104 Transistoren / mm2. Demgegenüber zeichnet sich die Integrierte Optik durch hohe Datenraten in Verbindung mit einer leistungsarmen Signalübertragung bei niedriger Störempfindlichkeit aus. Auf geringster Fläche bietet sie über die Interferometrie eine hohe Präzision sowohl in der Entfernungsmessung als auch in der Sensorik. Als dritte Integrationstechnik erlaubt die Mikromechanik über Sensoren einen direkten Zugriff vom Chip auf externe Größen wie Beschleunigung oder Druck.
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© 1995 B. G. Teubner Stuttgart
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Hilleringmann, U. (1995). Einleitung. In: Mikrosystemtechnik auf Silizium. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-92766-8_1
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-92766-8_1
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-06158-8
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