Zusammenfassung
Als Maß für die Wirksamkeit der verwendeten Getterprozesse wurde die Generationslebensdauer der Minoritätsladungsträger des Substratmaterials mit der Zerbst-Methode /5/ aus dem CHF(t) Verhalten von MOS-Kondensatoren über undotiertem Substratmaterial bestimmt. Die Messung erfolgte auf einem abgeschirmten Spitzenmeßplatz unter Verwendung eines rechnergesteuerten Meßsystems, dessen Blockschaltbild in Abb. 6 wiedergegeben ist.
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© 1982 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
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Höfflinger, B., Zimmer, G., Graf, H.G. (1982). Angewandte Meßverfahren. In: Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen. VS Verlag für Sozialwissenschaften. https://doi.org/10.1007/978-3-322-87706-2_4
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Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften
Print ISBN: 978-3-531-03133-0
Online ISBN: 978-3-322-87706-2
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