Beschreibung der Teststrukturen

Zusammenfassung

Bei der Realisierung der MOS-prozeßkompatiblen Fotodioden, deren Querschnitt in Abb. 1 dargestellt ist, wurde sowohl bei der n-Kanal- als auch bei der p-Kanal-Technologie die bei der Implantation der Depletion-Transistoren entstehenden flachen pn-übergänge mit Tiefen von 0,1 μm-0,3μm als aktive Zonen benutzt. Eine vor der Implantation aufgewachsene, die aktive Zone abdeckende SiO₂-Schicht, gleichzeitig Gateoxid der Transistoren, dient als Antireflexionsschicht und passiviert die Oberflächenzustände. Die aktive Zone wird von einer Diffusion mit einer Tiefe von 1μm-2, 5μm, ausgeführt mit den Drain- und Source-Diffusionen der Transistoren, als Guard-Ring umgeben. Bei der n-Kanal- und der n-Wannen-CMOS-Technologie ist noch eine Feld implantation erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.