Zusammenfassung
Wir haben nun die Grundlagen der Siliziumplanartechnologie, der Simulation und der Modellrechnungen zur Halbleitertechnik schließlich die Grundformen der Bauelemente (engl. device) der Festkörperelektronik bis zur (niedrigsten) Integrationsstufe (“Komplexität”) des CMOS-Inverters entwickelt. Die Umsetzung bzw. Anwendung für einen industriellen Herstellungsprozess von marktgängigen Bauelementen bedarf jedoch noch eines erheblich größeren Aufwands.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Rights and permissions
Copyright information
© 2003 B. G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
About this chapter
Cite this chapter
Wagemann, HG., Schönauer, T. (2003). Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. In: Silizium-Planartechnologie. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_8
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_8
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-00467-7
Online ISBN: 978-3-322-80070-1
eBook Packages: Springer Book Archive