Zusammenfassung
Im Mittelpunkt der Theorie der MOS-Bauelemente steht der Halbleiterbereich unter der Gate-Elektrode mit der Halbleiteroberfläche. Insofern wenden wir uns diesem Bereich zwischen den beiden pn-Übergängen zu den Source- und Drain-Kontakten eines MOS-Transistors (s. Abb. 6.1) zunächst zu. Diese Struktur, die eigentliche MOS-Schichtenfolge umfassend, heißt MOS-Kondensator (oder MOS-Varaktor). Am MOS-Varaktor wird die Beschreibung der Halbleiteroberfläche unter Wirkung elektrischer Felder (“Feldeffekt”) erarbeitet.
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© 2003 B. G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
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Wagemann, HG., Schönauer, T. (2003). Die Halbleiteroberfläche anhand des MOS-Varaktors. In: Silizium-Planartechnologie. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_6
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_6
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-00467-7
Online ISBN: 978-3-322-80070-1
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