Zusammenfassung
Die Siliziumplanartechnologie wird in diesem Kapitel unter dem Gesichtspunkt der Erzeugung von Halbleiterstrukturen für integrierte Schaltungen erörtert. Unter Planartechnologie versteht man eine Reihe aufeinanderfolgender Einzelprozessschritte, die an einkristallinen Halbleiterscheiben durchgeführt werden. Die wichtigsten Prozesse sind Lithographie, Oxidation, Diffusion, Ionenimplantation, Ätztechnik, Epitaxie und Metallisierung. Damit wurden weitere Verfahren zur Erzeugung von pn-Übergängen (Legierung und Ziehen aus der Schmelze) in Spezialanwendungsbereiche verdrängt. In der Planartechnologie werden die einzigartigen Eigenschaften der oxidierten Siliziumoberfläche (amorphes Siliziumdioxid SiO2) ausgenutzt:
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Chemische Stabilität und damit Passivierung der Siliziumoberfläche, auch bei hohen Temperaturen (T≤1300°C)
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Diffusionshemmende Wirkung gegenüber Fremdatomen
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Feinstrukturierbarkeit von SiO2-Schichten auf Silizium
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Hohe elektrische Durchbruchfeldstärke (wichtig z. B. für den MOSFET).
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© 2003 B. G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
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Wagemann, HG., Schönauer, T. (2003). Technologische Grundprozesse. In: Silizium-Planartechnologie. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_1
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Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-00467-7
Online ISBN: 978-3-322-80070-1
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