Hallsensor

Zusammenfassung

Der Hall-Effekt besagt: wird ein stromdurchflossenes Halbleiter-Plättchen (GaAs, InAs) senkrecht von einem Magnetfeld durchsetzt, dann werden die Ladungsträger aus ihrer waagerechten Bahn abgelenkt, womit an den Seitenflächen eine Hallspannung U ₂ auftritt, siehe Abb. 6.1.

Bei unbelastetem Ausgang mit I ₂ = 0 erscheint die Leerlauf-Hallspannung U ₂₀ nach Gl. 6.1 zu:

$$ U _{20 }= K _{\text{B0}} \cdot B \cdot I _{1 } . $$

(6.1)

mit der Leerlaufempfindlichkeit K _B0 in V/(A · T), der magnetischen Induktion (Flussdichte) B in T (Tesla) und dem Eingangs-Steuerstrom I ₁ in mA. Hinweis: 1 Tesla = 1 T = 1 Vs/m². Wirkt das Magnetfeld nicht senkrecht, sondern unter einem Winkel α, dann gilt Gl. 6.2 mit:

$$ U _{20 }= K _{\text{B0}} \cdot B \cdot I _{1 } \cdot \cos \alpha . $$

(6.2)