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Nachtrag zum Referat: Silizium karbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände

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Halbleiterprobleme

Part of the book series: Advances in Solid State Physics ((ASSP,volume HP5))

Abstract

The review article deals with new workds on Sic: Preparation of single crystals. Optical and electrical properties of uniform crystals. Experiments with contacts between SiC-crystals (and metal) and their theoretical interpretation (including thermal effects and “electro-forming”).

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  1. Abt. TPh, Schaltwerk der Siemens-Schuckertwerke AG, Berlin-Siemensstadt

    K. Zückler

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  1. K. Zückler
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Zückler, K. (1960). Nachtrag zum Referat: Silizium karbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände. In: Halbleiterprobleme. Advances in Solid State Physics, vol HP5. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/BFb0119071

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