Skip to main content

Messung der Kennwerte des Impuls- und Schaltverhaltens

  • Chapter
Transistormeßtechnik
  • 33 Accesses

Zusammenfassung

Durch das trägheitsbehaftete Steuerverhalten eines Transistors erfährt ein impulsförmiges Steuersignal eine Amplitudenänderung, eine Verzögerung und Verformung. Um diese durch Impulskennwerte beschriebenen Veränderungen praktisch zu erfassen, bedient man sich der Impulsmeßtechnik.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 44.99
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD 59.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literaturverzeichnis

  1. Ercoli, P.: Measurement of Transistor Switching Parameters. Electronic Engng. 32 (1960) 645.

    Google Scholar 

  2. Sprague Electric Co.: Hole Storage Measurement for Types 2 N 1122, 2 N 1122 A Transistors. Sem. Prod. 4 (1961) H.9, 30.

    Google Scholar 

  3. Sparkes, J.J.: The Measurement of the Transistor Switching Parameters. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.15, 562–567.

    Google Scholar 

  4. Johnson, R. R.; Lohmann, R. D.: A New Technique for Measuring Transistor Switching Times. Sem. Prod. 2 (1959) H.5, 35–37.

    Google Scholar 

  5. Paterson, D. G.: A Production Method for Measuring of Rise, Fall and Storage Time. Sem. Prod. 2 (1959) H.10, 35 u. 36. _ E.

    Google Scholar 

  6. Windsor, R. C.: Transistor Charge Control Parameters. Electronic Engng. .33 (1961) 249

    Google Scholar 

  7. Sparkes, J. J.: Measurement of Transistor Switching Parameters. Electronic Engng. 33(1961)38

    Google Scholar 

  8. Kohn, G.: Transistorverstärker mit Impulsanstiegzeiten von weniger als ns. NNacnricntentechnischer Fachbericht Bd.27, 1962, 85–90.

    Google Scholar 

  9. Nanavati, R.P.: Prediction of Storage Time in Junction Transistors. Trans. IRE. ED-7 (1960) 9–15.

    Google Scholar 

  10. Baker, A. N.: Charge Analysis of Transistor Operation. Proc. IRE. 48 (1960) 949.

    Google Scholar 

  11. Barry, J. N.: Switching Transistors. Electronic Technol. 37 (1960) 442–449.

    Google Scholar 

  12. A Discussion of Storage Time. Texas Instr. Appl. Note Oct. 1960.

    Google Scholar 

  13. Beaufoy, R.: Transistor Switching Circuit Design Using Chargecontrol Parameters. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.17, 1089–1091.

    Google Scholar 

  14. Johnston, R. C.; Brunke, R.L.: Measurement of Switching Transistor Parameters. Sem. Prod. 3 (1960) H.2, 43–46.

    Google Scholar 

  15. Maisenhälder, F.; Purps, H.D.; Pfender, E.: Über die Erzeugung von regelbaren Rechteckimpulsen im Nanosekundenbereich. AEÜ; 15 (1961) 253–256.

    Google Scholar 

  16. Kohn, G.: Erzeugung extrem steiler Impulsflanken in mehrstufigen nichtlinearen Verstärkern. AEU 12 (1958) 109–118.

    Google Scholar 

  17. Henebry, W. M.: Avalanche Transistor Circuits. Rev. Scient. Instr. 32 (1961) 1198–1203.

    Article  Google Scholar 

  18. Ludwig, J.: Messung charakteristischer Größen an Silizium-Leistungstransistoren. IHT Mitt. 1 (1962) 84–88.

    Google Scholar 

  19. Ludwig, J.; Gabriel, M.: Ermittlung des Übergangsverhaltens von einigen pnp-Legierungstransistoren. IHT Mitt. 1 (1962) 32–40.

    Google Scholar 

  20. Cho, Y.: Calculation of the Rise and Fall Times in the Alloy Junction Transistor Switch Based on the Charge Analysis. Proc. IRE. 49 (1961) 636 u. 637.

    Google Scholar 

  21. McDonald-Smith, J.: Millimicrosecond Blocking Oscillators. Electronic Engng. 29 (1957) 184–186.

    Google Scholar 

  22. Kaposi, A.A.: Transistor Blocking Oscillator for Use in Digital Systems. Electronic Engng. 31 (1959) 480.

    Google Scholar 

  23. Gruhle, W.: Elektronische Hilfsmittel des Physikers. BerlIn: Springer-Verlag 1960.

    Book  Google Scholar 

  24. Thuy, H.J.: Die Kenndaten des Schalttransistors. Nachrichtentechnischer Fachbericht Bd. 27 (1962) 41–44.

    Google Scholar 

  25. Neeteson, P. A.: Flächentransistoren in der Impulstechnik. Philips Techn. Bibliothek 1960.

    Google Scholar 

  26. Seitzer, D.: Formänderung von steilen Impulsen durch Mehrfachreflektion entlang einer Leitung. AEÜ; 16 (1962) 263–270.

    Google Scholar 

  27. Seitzer, D.: Die Exponentialleitung zwischen ohmschen Widerständen als Anpassungsübertrager für steile Impulse. AEU 15 (1961) 296–301.

    Google Scholar 

  28. Louis, H. P.: Messung von Signalen im Zeitbereich von Nanosekunden mittels Abtastoszillographen. El. Rundsch. 14 (1960) 137–144.

    Google Scholar 

  29. Moll, J.L.; Krakauer, S.; Shen, R.: pn-Junction Charge Storage Diodes. Proc. IRE. 50 (1962) 43.

    Article  Google Scholar 

  30. Oswald, G.: Eigenschaften und Anwendungsmöglichkeiten von Speicher-Schaltdioden. Siemens Z. 38 (1964) 164–168.

    Google Scholar 

  31. Hutten, H.: Die Sampling- oder Abtastmethode in der Meßtechnik. Radio Mentor 30 (1964) 197–201.

    Google Scholar 

  32. Janssen, J. M.; Michels, A. J.: Ein experimenteller “stroboskopischer” Oszillograph für Frequenzen bis ungefähr 50 MHz. Phil. Techn. Rundsch. 12 (1950) 52–60, 73–83.

    Google Scholar 

  33. Ekiss, J. A.; Simmons, C. D.: Calculation of the Rise and Fall Times of an Alloy Junction Transistor. Proc. IRE. 48 (1960) 1487 u. 1488.

    Google Scholar 

  34. Kleinknecht, H. P.: Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement. NTZ 15 (1962) 394–402.

    Google Scholar 

  35. Le Can, C.: Transient Behavior and Fundamental Transistor Parameters. Electronic. Appl. 20 (1959/60) H.2, 56.

    Google Scholar 

  36. Hooper, D. E.; Turnbull, A. R. T.: Applications of the Charge Control Concept to Transistor Characterization. Proc. IRE. (Austr.) 23 (1962) H.3. 132–147.

    Google Scholar 

  37. Bening, F.: Oszillografische Messung von Schalt- und Speicherzeit. NT 13 (1963) 145–147.

    Google Scholar 

  38. Feiße, W.: Ein Beitrag zur Klärung des Schaltverhaltens von Flächentransistoren. Nachrichtentechnischer Fachbericht Bd. 18 (1960) 111–114.

    Google Scholar 

  39. Beaufoy, R.; Sparkes, J.J.: Correspondence. Proc. IRE. 45 (1957) 1740–1742.

    Google Scholar 

  40. Sparkes, J.J.; Smith, J. R.: The Influence of Transistor Operation Including Delay Effects. Journ. El. Contr. 12 (1962) 177–194.

    Article  Google Scholar 

  41. Nanavati, R.P.; Willffinger, EJ.: The Relationship between Emitterjunction Recovery and “Wiggle” Effect. Proc. IRE. 50 (1962) 85.

    Google Scholar 

  42. Bosselaers, R.J.: A Simple Method for Compensation of the „Wiggle“ Effect. Solid State Journ. 2 (1961) April, 22–25.

    Google Scholar 

  43. Sparkes, J.: The Effect of Carrier Storage in the Emitter on Transistor Input Admittance. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.17, 1102–1107.

    Google Scholar 

  44. Simmons, C.D.: Hole Storage and Delay Time and üts Prediction. Sem. Prod. 1 (1958) H. 5 14–1

    Google Scholar 

  45. Harloff, H. J: Anforderungen an Schalttransistoren in Digitalrechn ern. Nachrichtentechnischer Fachbericht Bd. 18 (1960) 115–118.

    Google Scholar 

  46. Varnerin, L.J.: Stored Charge Method of Transistor Base Transient Analysis. Proc. IRE. 47 (1959) 523–527.

    Article  Google Scholar 

  47. Jacobs, J.: A Discussion of Storage Time. Texas Instr. Annl. Notes Oct. 1960.

    Google Scholar 

  48. Ekiss, J. A.; Simmons, C.D.: Calculation of the Rise and Fall Time of an Alloy Junction Transistor Proc. IRE. 48 (1960) 1487 u. 1488.

    Google Scholar 

  49. Ashar, K. G.; Ghosh, H. N.; Aldridge, A. W.; Patterson, L.J.: Transient Analysis and Device Characteristization of ACP Circuits. IBM Journ. Res. Dey. 7 (1963) 207–223.

    Article  MATH  Google Scholar 

  50. Geller, S.B.; Mantek, P. A.; Boyle, D. R.: A General Junction Transistor Circuit for Use in Large Signal Switching Analysis. Trans. IRE. EC-10 (1961) 670–679

    Google Scholar 

  51. Jarvis, D.B.; Morgan, L.P.; Weaver, J. A.: Transistor Current Switching and Routing Techniques. Trans. IRE. EC–9 (1960) 302–308.

    Google Scholar 

  52. Nanavati, R.P.; Willffinger, R.J.: Predicting Transistor Storage Time for Nonstep, Quasivoltage Inputs. Trans. IRE. ED-9 (1962) 492–499.

    Google Scholar 

  53. Nanavati, R.P.; Willffinger, R.J.: Transistor Storage Time in Circuits with Speed up Capacity, Proc. IRE. 49 (1961) 162.

    Google Scholar 

  54. Chaplin, G.B.B.: Sensitive Transistor Oscilloscope with d.c. to 300 Mc/s Response. Proc. IEE, 106 (B) (1959) 815–823.

    Google Scholar 

  55. Reimüller, G.: Halbleiterbestückter Samplingvorsatz für Oszillografen. Radio und fernsehen 13 (1964) 518–520, 568–571.

    Google Scholar 

  56. Reeves, R.J.D.: The Recording and Collation of Waveforms. Electr. Engng. 31 (1959) 130–137, 204–212.

    Google Scholar 

  57. Riedle, E.: Verzerrungsfreie Darstellung von Wellenformen extrem großer Bandbreite mit Hilfe von Sichtgeräten geringer Bandbreite-Bandbreite-Komnression. NT7 70 (1957)13S–140

    Google Scholar 

  58. Sugarman, R.: Sampling Oscilloscope for Statistically Varying Pulses. Rev. Sci. Instr. 28 (1957) 933–938.

    Article  Google Scholar 

  59. Carlson, R.: A Versatile New d.c. 500 Mc/s Oscilloscope with High Sensitivity and Dual Channel nisnlav Hew Paekk T 11 (1999) H.5–7,1–8

    Google Scholar 

  60. McQueen, G.: The Monitory of High Speed Waveforms. Electr. Engng. 24 (1952) 436–441.

    Google Scholar 

  61. Schütze, P.: Vereinfachtes Verfahren zur Messung der Schaltzeitkonstanten von Transistoren. Radio und fernsehen 13 (1964) M1–654

    Google Scholar 

  62. Paul, R.: Dynamisches Verhalten von Flächentransistoren bei Impulssteuerung. NT 11 (1961) 163–172.

    Google Scholar 

  63. Chaplin, G.B.B.; Owens, A.R.: A Method of Designing Avalanche Transistor Trigger Circuits. Proc. IEE. 106 (B) (1959) 801–814.

    Google Scholar 

  64. Shockley, W.; Gibbons, J.: Current Build up in Semiconductor Devices. Proc. IRE. 46 (1958) 1947.

    Google Scholar 

  65. Švejkin, V.J.: Impulsnyj metod opredelenija parametroc drejfovych triodov. Radiotech. i. Elektr. 6 (1961) 999–1009.

    Google Scholar 

  66. Švejkin, V J.: Eksperimentalnoe opredelenie osnovnych svojstvo poluprovodnikovych triodov putem izmerenija zarjada neosnovnych nositelej bazy. Rüadiotechn. i Elektr. 5 (1960) 1158–1164.

    Google Scholar 

  67. Thiney, A.: Ètude de la variation de la constante de temps de charge globale des transistors alliés dans la région active normale. L’Onde Electr. 44 (1964) 451–462

    Google Scholar 

  68. Thiney, A.: Rise and Fall Times of Transistors in Switching Operation Regardless or the Driving Source Impedance. Trans. IRE EC-13 (1964) 616–620.

    Google Scholar 

  69. Tohma, Y.: Transistor Having Double Base Regions. Sol. State Electronics 7 (1964) 765–767.

    Article  Google Scholar 

  70. Koshiba, T.; Tomaru, K.: Switching Time of a Grounded Emitter Transistor Circuit. Rev. El. Comm. Lab. 12 (1964) 233–243.

    Google Scholar 

  71. Chernak, J.; Simone, C.F.: Simple Equivalent Circuits for a Step Recovery Diode and a Switching Transistor. Trans. IEEE. EC-13 (1964) 623.

    Google Scholar 

  72. den Brinker, C. S.; Fairbairn, D.; Norris, B.L.: An Analysis of the Switching Behavior of Graded Base Transistors. Electronic Engng. 35 (1963) 500–505.

    Google Scholar 

  73. Trogus, H.: Schaltverhalten von Klein-Leistungs-Schalttransistoren. El. Rundsch. 18 (1964) 427–430, 489–492.

    Google Scholar 

  74. Verster, T. C.; Boothroyd, A.R.: Operation of the Junction Transistor as a Fast Low-level Switch. Proc. IEE. 110 (1963) 353–368.

    Google Scholar 

Download references

Authors

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 1966 V E B Verlag Technik, Berlin

About this chapter

Cite this chapter

Paul, R. (1966). Messung der Kennwerte des Impuls- und Schaltverhaltens. In: Transistormeßtechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02740-9_6

Download citation

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-02740-9_6

  • Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden

  • Print ISBN: 978-3-663-00827-9

  • Online ISBN: 978-3-663-02740-9

  • eBook Packages: Springer Book Archive

Publish with us

Policies and ethics