Zusammenfassung
Zur Herstellung von GaAs-Transistoren werden die in Kap. 4, 5 und 6 beschriebenen Verfahrensschritte (Vorbereitung des Grundmaterials, Epitaxie, Diffusion, Kontaktierung) in geeigneter Kombination angewandt. Die seitliche Begrenzung der Bauelemente erfolgt — in Anlehnung an die Siliziumtechnologie — entweder durch Ätzung (Mesatechnik) oder durch selektive Diffusion (Planartechnik) unter Verwendung maskierender Schichten bzw. mit räumlicher Begrenzung der Diffusionsquellen. Als Hilfsmittel können dabei die hochentwickelten Methoden der Photolithographie aus der Siliziumtechnologie übernommen werden.
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Literatur Kapitel 8
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von Münch, W. (1969). Bipolare Transistoren. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_8
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