Abstract
A survey is given of the present state of electroluminescence in III–V-compounds with particular respect to injection luminescence. First some possible mechanisms for the excitation of charge carriers by an electric field are discussed, mainly for forward biased p-n junctions with moderate and high doping levels. These are illustrated by results obtained with GaAs and GaP. Next, the various possibilities for the recombination of these excited carriers are considered. Then some results obtained with other and mixed III–V-compounds are reported. A final short comment is made on some questions that still remain to be settled.
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Grimmeiss, H.G. (1966). Elektrolumineszenz in III–V-Verbindungen. In: Sauter, F. (eds) Festkörperprobleme V. Advances in Solid State Physics, vol 5. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/BFb0119277
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