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Isoelectronic impurities in semiconductors

  • Wolfgang Czaja
Chapter
Part of the Advances in Solid State Physics book series (ASSP, volume 11)

Zusammenfassung

Es wird ein Überblick darüber gegeben was isoelektronische Verunreinigungen sind und in wieweit man ihre Eigenschaften in Halbleitern versteht. Es gibt zwei Klassen von isoelektronischen Verunreinigungen, solche die zu lokalisierten Zuständen führen (isoelektronische Traps) und solche, die zu keinen lokalisierten Zuständen führen, sondern mit dem Wirtsgitter ein Mischkristallsystem bilden. Im folgenden beschäftigt man sich ausschließlich mit isoelektronischen Traps. Zunächst werden die für diese Störstellen typischen Emissions- und Absorptions-Spektren, sowie der Einfluß auf die Ladungsträgerbeweglichkeit diskutiert. Nach dem Hopfield-Thomas Modell ist zu erwarten, daß isoelektronische Traps entweder ein Elektron oder ein Loch einfangen können.

Das damit geladene Trap bindet anschließend durch Coulomb Wechselwirkung einen Ladungsträger mit entgegengesetzter Ladung, d.h. es entsteht ein an das Trap gebundenes Exziton. Dieses Modell wird benützt um die Eigenschaften bekannter isoelektronischer Traps zu erklären.

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Copyright information

© Friedr. Vieweg + Sohn GmbH, Verlag 1971

Authors and Affiliations

  • Wolfgang Czaja
    • 1
  1. 1.Laboratories RCA, Ltd.ZürichSwitzerland

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