Abstract
This chapter describes the Patterned Sapphire Substrate (PSS). Firstly, the properties and the fabrication process of the PSS are described. Then, the mechanism to decrease the dislocation density in the crystal growth of GaN layer on the PSS is elaborated. Thirdly, the principle of the improvement in the LEE of the GaN-LEDs fabricated on the PSS is explained. Finally, the novel application of the PSS to grow nonpolar and semipolar GaN layers is introduced.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
References
Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, T. Mukai, J. Phys. D, Appl. Phys. 43, 354002 (2010)
K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001)
H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989)
S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991)
S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993)
S. Nakamura, Microelectron. J. 25, 651 (1994)
T. Mukai, S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999)
S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, T. Yanamoto, T. Mukai, Phys. Status Solidi A 188, 1 (2001)
D. Morita, M. Yamamoto, K. Akashi, K. Matoba, K. Yasutomo, Y. Kasai, M. Sano, S. Nagahama, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5945 (2004)
Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, K. Deguchi, T. Yamada, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1084 (2006)
Y. Narukawa, M. Sano, M. Ichikawa, S. Minato, T. Sakamoto, T. Yamada, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L963 (2007)
Y. Narukawa, M. Sano, T. Sakamoto, T. Yamada, T. Mukai, Phys. Status Solidi A 205, 1081 (2008)
Y. Kato, S. Kitamura, K. Haramatsu, N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994)
S. Kitamura, K. Haramatsu, N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1184 (1995)
Y. Ujiie, T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L337 (1989)
T. Nishinaga, T. Nkano, S. Zhang, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L964 (1988)
K. Hiramatsu, Inst. Phys. Conf. Ser. 170, 693 (2002). Chap. 9
A. Usui, H. Sunagawa, A. Sakai, A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997)
A. Sakai, H. Sunagawa, A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997)
C.I.H. Ashby, C.C. Mitchell, J. Han, N.A. Missert, P.P. Provencio, D.M. Follstaedt, G.M. Peake, L. Griego, Appl. Phys. Lett. 77, 3233 (2000)
T. Detprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L16 (2001)
A. Strittmatter, S. Rodt, L. Reissmann, D. Bimberg, H. Schroder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen, A. Krost, Appl. Phys. Lett. 78, 727 (2001)
O.-H. Nam, M.D. Dremser, T.S. Zheleva, R.F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997)
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, T. Maeda, Phys. Status Solidi A 176, 535 (1999)
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000)
Y. Honda, Y. Iyechika, T. Maeda, H. Miyake, K. Hiramatsu, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L309 (2001)
K. Linthicum, T. Gehrke, D. Thomson, E. Carlson, P. Rajagopal, T. Smith, D. Batchelor, R.F. Davis, Appl. Phys. Lett. 75, 196 (1999)
T.S. Zheleva, S.A. Smith, D.B. Thomson, T. Gehrke, K.J. Linthicum, P. Rajagopal, E. Carlson, W.M. Ashmawi, R.F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 537, G3.38 (1999)
I. Kidoguchi, A. Ishibashi, G. Sugahara, A. Tsujimura, Y. Ban, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L453 (2000)
I. Kidoguchi, A. Ishibashi, G. Sugahara, Y. Ban, Appl. Phys. Lett. 76, 3768 (2000)
M. Ishida, M. Ogawa, K. Orita, O. Imafuji, M. Yuri, T. Sugino, K. Itoh, J. Cryst. Growth 221, 345 (2000)
K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L499 (2004)
H. Lahreche, P. VenneHgues, B. Beaumont, P. Gibart, J. Cryst. Growth 205, 245 (1999)
S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 69, 4096 (1996)
K. Hoshino, N. Yanagita, M. Araki, K. Tadatomo, J. Cryst. Growth 298, 232 (2007)
S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima, Y. Naoi, J. Cryst. Growth 221, 334 (2000)
X. Zhang, R.R. Li, P.D. Dapkus, D.H. Rich, Appl. Phys. Lett. 77, 2213 (2000)
N. Okada, T. Murata, K. Tadatomo, H.C. Chang, K. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 122103 (2009)
S. Watanabe, N. Yamada, M. Nagashima, Y. Ueki, C. Sasaki, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa, H. Kudo, Appl. Phys. Lett. 83, 4906 (2003)
I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer, Appl. Phys. Lett. 63, 2174 (1993)
E.F. Shubert, Light Emitting Diodes, 2nd edn. (Cambridge University Press, Cambridge, 2006)
R. Windisch, P. Heremans, A. Knobloch, P. Kiesel, G.H. Döhler, B. Dutta, G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 74, 2256 (1999)
W.N. Carr, G.E. Pittman, Appl. Phys. Lett. 3, 173 (1963)
M.R. Krames, M.O. Holcomb, G.E. Höfler, C.C. Coman, E.I. Chen, I.H. Tan, P. Grillot, N.F. Gardner, H.C. Chui, J.W. Huang, S.A. Stockman, F.A. Kish, M.G. Craford, T.S. Tan, C.P. Kocot, M. Hueschen, J. Posselt, B. Loh, G. Sasser, D. Collins, Appl. Phys. Lett. 75, 2365 (1999)
K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo, T. Taguchi, Phys. Status Solidi A 188, 121 (2001)
H. Kudo, Y. Ohuchi, T. Jyouichi, T. Tsunekawa, H. Okagawa, K. Tadatomo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi, Phys. Status Solidi A 200, 95 (2003)
K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, H. Kudo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi, J. Light Vis. Environ. 27, 10 (2003)
M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1431 (2002)
Y.J. Lee, T.C. Hsu, H.C. Kuo, S.C. Wang, Y.L. Yang, S.N. Yen, Y.T. Chu, Y.J. Shen, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, Mater. Sci. Eng. B 122, 184 (2005)
J.H. Cheng, Y.C.S. Wu, W.C. Liao, B.W. Lin, Appl. Phys. Lett. 96, 051109 (2010)
S.M. Jeong, S. Kissinger, Y.H. Ra, S.H. Yun, D.W. Kim, S.J. Lee, H.K. Ahn, J.S. Kim, C.R. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 04DH02 (2010)
Y.J. Chen, C.H. Kuo, C.J. Tun, S.C. Hsu, Y.J. Cheng, C.Y. Liu, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 020201 (2010)
H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, G. Wang, J. Appl. Phys. 103, 014314 (2008)
H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, G. Wang, Solid-State Electron. 52, 962 (2008)
S.J. Chang, Y.C. Lin, Y.K. Su, C.S. Chang, T.C. Wen, S.C. Shei, J.C. Ke, C.W. Kuo, S.C. Chen, C.H. Liu, Solid-State Electron. 47, 1539 (2003)
W.K. Wang, D.S. Wuu, W.C. Shih, J.S. Fang, C.E. Lee, W.Y. Lin, P. Han, R.H. Horng, T.C. Hsu, T.C. Huo, M.J. Jou, A. Lin, Y.H. Yu, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 2512 (2005)
K. Hoshino, T. Murata, M. Araki, K. Tadatomo, Phys. Status Solidi C 5, 3060 (2008)
J.B. Kim, S.M. Kim, Y.W. Kim, S.K. Kang, S.R. Jeon, N. Hwang, Y.J. Choi, C.S. Chung, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 042102 (2010)
K. Orita, S. Tamura, T. Takizawa, T. Ueda, M. Yuri, S. Takigawa, D. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5809 (2004)
A. David, T. Fujii, R. Sharma, K. McGroddy, S. Nakamura, S.P. DenBaars, E.L. Hu, C. Weisbuch, H. Benisty, Appl. Phys. Lett. 88, 061124 (2006)
A. David, T. Fujii, B. Moran, S. Nakamura, S.P. DenBaars, C. Weisbuch, H. Benisty, Appl. Phys. Lett. 88, 133514 (2006)
J. Lee, S. Ahn, S. Kim, D.U. Kim, H. Jeon, S.J. Lee, J.H. Baek, Curr. Appl. Phys. 9, 633 (2009)
C.C. Kao, Y.K. Su, C.L. Lin, J.J. Chen, Appl. Phys. Lett. 97, 023111 (2010)
Y. Li, S. You, M. Zhu, L. Zhao, W. Hou, T. Detchprom, Y. Taniguchi, N. Tamura, S. Tanaka, C. Wetzel, Appl. Phys. Lett. 98, 151102 (2011)
Y.K. Su, J.J. Chen, C.L. Lin, S.M. Chen, W.L. Li, C.C. Kao, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 6706 (2008)
C.H. Chan, C.H. Hou, S.Z. Tseng, T.J. Chen, H.T. Chien, F.L. Hsiao, C.C. Lee, Y.L. Tsai, C.C. Chen, Appl. Phys. Lett. 95, 011110 (2009)
J. Lee, S. Ahn, S. Kim, D.U. Kim, H. Jeon, S.J. Lee, J.H. Baek, Appl. Phys. Lett. 94, 101105 (2009)
M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Nakamura, T. Kosugi, M. Takahashi, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L659 (2006)
A. David, M.J. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 96, 103504 (2010)
K.S. Kim, J.H. Kim, Y.M. Park, S.J. Jung, Y.J. Park, S.N. Cho, Appl. Phys. Lett. 97, 031113 (2010)
C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, W.T. Chang, H.W. Hsu, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, Appl. Phys. Express 4, 012105 (2011)
S.C. Ling, T.C. Lu, S.P. Chang, J.R. Chen, H.C. Kuo, S.C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010)
Y. Zhao, S. Tanaka, C. Pan, K. Fujito, D. Feezell, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, Appl. Phys. Express 4, 082104 (2011)
K. Motoki, T. Okahisa, R. Hirota, S. Nakahata, K. Uematsu, N. Matsumoto, J. Cryst. Growth 305, 377 (2007)
F. Kawamura, M. Tanpo, N. Miyoshi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Kitaoka, T. Sasaki, J. Cryst. Growth 311, 3019 (2009)
R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, H. Hayashi, J. Cryst. Growth 310, 3911 (2008)
R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, M. Zajac, M. Rudzinski, J. Cryst. Growth 311, 3058 (2009)
Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Cryst. Growth 242, 82 (2002)
T. Tanikawa, D. Rudlph, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Cryst. Growth 310, 4999 (2008)
N. Okada, Y. Kawashima, K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 1, 111101 (2008)
N. Okada, H. Kurisu, K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 2, 091001 (2009)
N. Okada, K. Tadatomo, Semicond. Sci. Technol. 27, 024003 (2012)
S. Schwaiger, I. Argut, T. Wunderer, R. Rösch, F. Lipski, J. Biskupek, U. Kaiser, F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 96, 231905 (2010)
P. de Mierry, N. Kriouche, M. Nemoz, S. Chenot, G. Nataf, Appl. Phys. Lett. 96, 231918 (2010)
S. Schwaiger, S. Metzner, T. Wunderer, I. Argut, J. Thalmair, F. Lipski, M. Wieneke, J. Blasing, F. Bertram, J. Zweck, A. Krost, J. Christen, F. Scholz, Phys. Status Solidi B 248, 588 (2011)
K. Okuno, Y. Saito, S. Boyama, N. Nakada, S. Nitta, R.G. Tohmon, Y. Ushida, N. Shibata, Appl. Phys. Express 2, 031002 (2009)
M. Takami, A. Kurisu, Y. Abe, N. Okada, K. Tadatomo, Phys. Status Solidi C 8, 2101 (2011)
N. Okada, H. Oshita, K. Yamane, K. Tadatomo, Appl. Phys. Lett. 99, 242103 (2011)
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Editor information
Editors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 2013 Springer Science+Business Media Dordrecht
About this chapter
Cite this chapter
Tadatomo, K. (2013). Epitaxy Part B. Epitaxial Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrates. In: Seong, TY., Han, J., Amano, H., Morkoc, H. (eds) III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications. Topics in Applied Physics, vol 126. Springer, Dordrecht. https://doi.org/10.1007/978-94-007-5863-6_4
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-94-007-5863-6_4
Publisher Name: Springer, Dordrecht
Print ISBN: 978-94-007-5862-9
Online ISBN: 978-94-007-5863-6
eBook Packages: Physics and AstronomyPhysics and Astronomy (R0)