Integrationstechniken

Zusammenfassung

Für die angestrebte Integration der in Abschnitt 3.2 vorgestellten Einzelpartikeltransistoren ist die Herstellung der Drain- und Source-Elektroden im nanoskaligen Abstand erforderlich. Im Folgenden wird daher eine kostengünstige Strukturierungsmethode zur Definition kleinster Geometrien im Nanometerbereich vorgestellt, die im Rahmen dieser Arbeit für die großflächige Integration der Nanostrukturen verwendet wird. Der Einsatz von konventionellen Lithografieverfahren ist zwar technisch möglich, jedoch aus Gründen der Verfügbarkeit und Kosten nicht umsetzbar. Weiterhin wird in diesem Abschnitt auf die notwendige Abscheidung von Nanopartikeln als Dünnfilm bzw. als Einzelpartikel durch Schleuderbeschichtung eingegangen. Die Beschichtung im Schleuderverfahren ist ein Standardprozess der Halbleiterprozesstechnologie, zeigt aber bei der Verwendung von Dispersionen als komplexe Feststoff-Flüssigkeits-Systeme wesentliche Unterschiede zum konventionellen Prozess.