Hochleistungs-Halbleiterlaser

Zusammenfassung

Übliche (‘narrow stripe’) kanten-/facettenemittierende Halbleiterlaser haben einen solchen Querschnitt der aktiven Zone, dass es nur eine seitlich geführte und verstärkte Welle gibt, dass also der Wellenleiter transversal (y-Richtung) und lateral (x-Richtung) monomodig ist. Die Querabmessungen können dabei je nach Emissionswellenlänge sehr unterschiedlich sein. Im Beispiel von AlGaAs und einer Emissionswellenlänge um etwa 800nm sind die aktiven Zonen üblicherweise circa 3 μm breit und 0,2 μm dick. Die potenzielle Zerstörung der Laserfacette (‘catastrophic optical (mirror) damage’, CO(M)D) macht bei schmalen Einzelemittern hohe Ausgangsleistungen unmöglich. Durch eine Vergrößerung der aktiven Zone, insbesondere in der seitlichen, hier transversal genannten Dimension, auf 50 bis 200 μm Breite (→ Breitstreifenlaser, ‘broad area laser’, BAL) oder durch Verwendung eines Feldes (‘array’; → Laserdiodenarray, ‘laser diode array’, LDA) von transversal gekoppelten parallelen aktiven Zonen kann die Ausgangsleistung von Halbleiterlasern gesteigert werden.