Zusammenfassung
Die Integration von Bipolar-Transistoren wird auf der Grundlage der Standard-Buried-Collector-Technik eingeführt und anschließend durch alternative Isolationsmethoden verbessert. Daran schließt sich die moderne Integrationstechnik mit selbstjustierendem Emitter an. Die Kombination von Bipolar- und MOS-Transistoren auf einem Substrat als BiCMOS-Prozess wird diskutiert.
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Literatur
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Hilleringmann, U. (2014). Bipolar-Technologie. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-3_12
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