Zusammenfassung
Ausgehend von den PMOS- und NMOS-Prozessen in Aluminium-Gate-Technik wird der selbstjustierende NMOS-Prozess mit Polysilizium-Gate dargestellt. Darauf aufbauend folgt eine detaillierte Erläuterung der CMOS-Prozessführung in n-Wannentechnologie einschließlich der erforderlichen Funktionstests nach der Transistorintegration.
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Hilleringmann, U. (2014). MOS-Technologien zur Schaltungsintegration. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-3_10
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