Zusammenfassung
In diesem Kapitel werden die ROM-Typen vorgestellt und behandelt. Nach einem einleitenden Abschnitt zu den allgemeinen Eigenschaften und zur Klassifizierung werden in den folgenden Abschnitten die verschiedenen Typen in der (auch historisch so gewachsenen) Reihenfolge zunehmender Flexibilität der Anwendung, d.h. von den maskenprogrammierten echten Festwertspeichern (ROM) über die programmierbaren Typen (PROM, EPROM) und die Halbfestwertspeicher (EEPROM) bis zu den nichtflüchtigen RAM behandelt.
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Literaturverzeichnis
Rhein, D.: Speicherbausteine. In: Taschenbuch Elektrotechnik (Hrsg. E. Philippow), Band 3. Verlag Technik: Berlin 1985.
Timm, V.: Im Blickpunkt: ROM’s, PROM’s und PLA’s. Elektronik 25(1976)5, S. 38–47.
Scherpenberg, F.A.; Sheppard, D.: Asynchronous circuits accelerate access to 256K read-only memory. Electronics 55(1982)June2, S.141–145.
Davis, H.L.: A 70ns word-wide 1Mbit ROM with on-chip error-correction circuit. IEEE J. Solid-State Circ. 20(1985)5, S.958–963.
Fong, E. u.a.: A high performance 256K (512K) static ROM. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)6, S. 807–810.
Cuppens, R.; Sevat, L.M.M.: A 256kbit ROM with serial cell structure. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)3, S. 340–344.
Kamuro, S.; Masaki, Y. u.a.: A 256K ROM fabricated using n-well CMOS process technology. IEEE J. Solid-State Circ. 17(1982)4, S.723–726.
Rich, D.A. u.a.: A four-state ROM using multilevel process technology. IEEE J. Solid-State Circ. 19(1984)2, S. 174–179.
Donoghue. B. u.a.: A 256K HCMOS ROM using a four-state cell approach. IEEE J. Solid-State Circ. 20 (1985) 2, S. 598–602.
Metzger, L.R.: A 16K CMOS PROM with polysilicon fusible links. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S. 562–567.
Fukushima, T. u.a.: A 40ns 64kbit junction shorting PROM. IEEE J. Solid-State Circ. 19(1984)2, S.187–194.
Fukushima, T. u.a.: A 15ns 8kbit junction-shorting registered PROM. IEEE J. Solid-State Circ. 21(1986)5, S. 861–868.
Tanimoto. M. u.a.: A novel 14V programmable 4kbit MOS-PROM using a poly-Si resistor applicable to on-chip programmable devices. IEEE J. Solid-State Circ. 17(1982)1, S. 62–68.
Frohmann-Bentchkowsky, D.: A fully-decoded 2048bit electrically programmable MOS-ROM. ISSCC Dig. Tech. Papers, Febr. 1971, S. 80-81.
Salsbury. P.J.; Morgan, W.L. u.a.: High-performance MOS EPROM’s using a stacked-gate cell. Dig. Tech. Papers, 1977 IEEE Int. Solid-State Circ. Conf., S. 186-187.
Kanauchi. S.; Ichida. K. u.a.: A high-performance IMbit EPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 19(1984)5, S. 646–650.
McCrcary. J.L. u.a.: Techniques for a 5V-only 64K EPROM based upon substrate hot-electron injection. IEEE J. Solid-State Circ. 19(1984)1, S. 135–143.
Atsumi. S.; Tanaka. S. u.a.: Fast programmable 256K read-only memory with on-chip test circuits. IEEE J. Solid-State Circ. 20(1985)1, S. 422–427.
Ali. S.B.; Sani, B. u.a.: A 50ns 256K CMOS split-gate EPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)1, S. 79–84.
Wrenzitzki. J.: EPROM’s hoher Speicherkapazität. Mikroprozessortechnik 2(1988)11, S. 329–331.
Ohtsuka. N.; Tanaka, S. u.a.: A 4Mbit CMOS EPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 22(1987)5, S.669–675.
Gastaldi, R. u.a.: A 1Mbit CMOS EPROM with enhanced verification. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)5, S. 1150–1156.
Knecht, M.W. u.a.: A high-speed ultra-low power 64K CMOS EPROM with on-chip test functions. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S. 554–561.
Yoshida. M. u.a.: A 288K CMOS EPROM with redundancy. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S. 544–550.
Chitry, P.; Schramm, M.: Intelligentes Programmieren moderner EPROM’s. radio-fernsehen-elektronik 36(1987)8, S.498–499.
Yatsuda, Y. u.a.: Hi-CMOSII technology for a 64kbit byte-erasable 5V-only EEPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 20(1985)1, S.144–151.
Hagiwara, T.; Rondo, R. u.a.: A 16Kb electrically erasable programmable ROM. ISSCC Dig. Tech. Papers 1979, S. 50-51.
Chitry, P.; Kanter, M.: EEPROM’s. radio-fernsehen-elektronik 36(1987)5, S. 296–297.
Tarui, Y. u.a.: Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory. IEEE J. Solid-State Circ. 7(1972), S. 369.
Iizuka, H. u.a.: Electrically alterable avalanche-injection-type MOS read-only memory with stacked-gate structure. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1976)4, S. 379.
Müller, R.; Nietzsch. H. u.a.: An 8192bit EAROM employing a one-transistor cell with floating gate. IEEE J. Solid-State Circ. 12(1977)5, S. 507.
Lenzlinger, M. Snow, E.M.: Fowler-Nordheim-tunneling into thermally grown SiO2. J. Appl. Phys. 40(1969)1, S. 278–283.
Yaron, G. u.a.: A 16K EEPROM employing new array architecture and designed-in reliability features. IEEE J. Solid-State Circ. 17(1982)5, S.833–840.
Cioaca, D. u.a.: A million-cycle CMOS 256K EEPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 22(1987)5, S. 684–692.
Oto, D.H.; Dham, V.K. u.a.: High-voltage regulation on process considerations for high-density 5V-only EEPROM’s. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S. 532–538.
Ting, T.J.; Chang, T. u.a.: A 50ns CMOS 256K EEPROM. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)5, S.1164–1170.
Gongwer, G.; Gudger, K.H.: A 16K EEPROM using E2-element redundancy. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S. 550–553.
Momodomi, M.; Itoh, Y. u.a.: An experimental 4Mbit CMOS EEPROM with a NAND-structured cell. IEEE J. Solid-State Circ. 24(1989)5, S. 1238–1243.
Samachisa, G. u.a.: A 128K flash EEPROM using double-polysilicon technology. IEEE J. Solid-State Circ. 22(1987)5, S.676–683.
Masuoka, F. u.a.: A 256K flash EEPROM using triple-polysilicon technology. IEEE J. Solid-State Circ. 22(1987)4, S.548–552.
Kynett, V.N.; Baker, A. u.a.: An in-system reprogrammable 32K x 8 CMOS flash memory. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)5, S. 1157–1163.
Becker, N.J. u.a.: A 5V-only 4K nonvolatile static RAM. ISSCC Dig. Tech. Papers, Febr. 1983, S. 170-171.
Lee. D.J. u.a.: Control logic and cell design for a 4K NVRAM. IEEE J. Solid-State Circ. 18(1983)5, S.525–532.
Donaldson, D.D. u.a.: SNOS 1Kx8 static nonvolatile RAM. IEEE J. Solid-State Circ. 17(1982)5, S. 847–851.
Terarda, Y.; Kohayashi, K. u.a.: A new architecture for the NVRAM — An EEPROM backed-up dynamic RAM. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)1, S. 86–90.
Evans, J.T.; Womack. R.: An experimental 512bit nonvolatile memory with ferroelectric storage cell. IEEE J. Solid-State Circ. 23(1988)5, S. 1171–1175.
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Rhein, D., Freitag, H. (1992). Festwertspeicher-Schaltkreise (ROM). In: Mikroelektronische Speicher. Springer, Vienna. https://doi.org/10.1007/978-3-7091-9214-6_5
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