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Bauelemente der Leistungselektronik

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Zusammenfassung

Von ca. 1902 bis 1958 waren in der Leistungselektronik fast ausschließlich Quecksilberdampfgefäße [3.35] in Verwendung, wobei Halbleiter auf Gleichrichtung bei relativ kleinen Leistungen beschränkt waren. Ab ca. 1955 stand zum erstenmal mit dem Thyristor (damals noch unter verschiedenen anderen Bezeichnungen beschrieben [3.48], [3.52]) eine Alternative zum steuerbaren Quecksilberdampfgleichrichter zur Verfügung. Der Übergang zu den neuen Elementen hat sich in den sechziger Jahren auf breiter Front vollzogen. Es wurden viele schon Jahrzehnte früher vorgeschlagene Schaltungen wirtschaftlich realisierbar, wodurch starke Impulse zu Weiterentwicklungen gegeben wurden [3.63]. Gasentladungsröhren, im speziellen Thyratrons [3.22], werden noch in Ausnahmefällen verwendet, z. B. bei hohen Spannungen und relativ kleinen Strömen. So werden z. B. dreiphasige Brücken für 10 kV, 10 A mit sechs Thyratrons bestückt. Trotz des Erfordernisses von hochspannungsfesten Heiztransformatoren bieten sich in diesem Spezialfall wirtschaftliche Vorteile gegenüber Thyristoren.

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Literatur

  1. Silizium-Stromrichter-Handbuch. Baden (Schweiz): Brown, Boveri & Cie. 1971.

    Google Scholar 

  2. Grafham, D. R., und J. C. Hey (Hrsg.): SCR-Manual, 5. Aufl. Syracuse, N. Y.: General Electric. 1972.

    Google Scholar 

  3. Balenovich, J. D.: Positive Gate Bias While an SCR Is in a Reverse Blocking Mode. Tech. Tips 3-2. Youngwood, Pa.: Westinghouse Power Semiconductor Division. 1974.

    Google Scholar 

  4. Siemens Datenbuch 1974/75. Leistungshalbleiter: Thyristoren, Triacs, Diacs. Berlin-München-Erlangen: Siemens. 1974.

    Google Scholar 

  5. Stumpe, A. C.: Das Schaltverhalten der steuerbaren Siliziumzelle. ETZ-A 83(9), 291–298 (1962).

    Google Scholar 

  6. Hoffmann, A., und K. Stocker: Thyristor-Handbuch, 4. Aufl. Berlin-München: Siemens. 1976.

    Google Scholar 

  7. Gentry, F. E., F. W. Gutzwiller, N. Holonyak, Jr., und E. E. von Zastrow: Semiconductor Controlled Rectifiers. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice-Hall. 1964.

    Google Scholar 

  8. Heumann, K., und A. C. Stumpe: Thyristoren, Eigenschaften und Anwendungen, 3. Aufl. Stuttgart: Teubner. 1974.

    Google Scholar 

  9. Read, J. S., und R. F. Dyer: Power Thyristor Rating Practices. Proceedings of the IEEE 55(8), 1288–1301 (1967).

    Article  Google Scholar 

  10. Meyer, M.: Selbstgeführte Thyristor-Stromrichter, 3. Aufl. Berlin-München: Siemens. 1974.

    Google Scholar 

  11. Kay, D. C. (Hrsg.): Transient Voltage Suppression Manual. Syracuse, N.Y.: General Electric. 1976.

    Google Scholar 

  12. Bergmann, L.: Impulsübertragung in Mittelspannungs-Stromrichtern großer Leistung. BBC-Nachrichten 58(4), 145–148 (1976).

    Google Scholar 

  13. Rieger, H.: Schutz von Thyristoranlagen vor Netzüberspannungen. Siemens-Zeitschrift 44(4), 237f. (1970).

    Google Scholar 

  14. Ganner, P., und F. Kirschner: Schnelle hochsperrende Thyristoren. Siemens-Zeitschrift 46(11), 841–843 (1972).

    Google Scholar 

  15. Balenovich, J. D.: The Gate Controlled Switch. GCS-Information. Youngwood, Pa.: Westinghouse. 1973.

    Google Scholar 

  16. Subscrete Devices for Hybrid Circuits; Application Note 451.132. Syracuse, N.Y.: General Electric. 1977.

    Google Scholar 

  17. Direkt optisch zündbare Thyristoren ETZ-B 29 (3), 97 (1977).

    Google Scholar 

  18. Zach, F.: Technisches Optimieren. Wien-New York: Springer. 1974.

    Book  MATH  Google Scholar 

  19. Burtscher, J.: Thyristoren mit innerer Zündverstärkung, in [3.40].

    Google Scholar 

  20. Paulmann, W.: Thyristoren im Elektrohandwerk. Kreuzungen: Archimedes. 1973.

    Google Scholar 

  21. Becke, H., et al.: Gate-Turn-Off Silicon Controlled Rectifiers. RCA Application Note AN-6357. Somerville, N.Y.: RCA. 1974.

    Google Scholar 

  22. Kübler, E.: Stromrichter, 2. Aufl. Stuttgart: Teubner. 1967.

    Google Scholar 

  23. Peter, J.-M: Vergleich von Transistor und Thyristor. ETZ-B 29(2), 41–48 (1977).

    MathSciNet  Google Scholar 

  24. McMurray, W. G.: Optimum Snubbers for Power Semiconductors. IEEE Trans. on Ind. Appl. IA-8(5), 593–600 (1972).

    Article  Google Scholar 

  25. Kuller, H.: 120 kW Stromversorgung hoher Genauigkeit mit Thyristorstromrichter und Transistorfilter. Siemens-Zeitschrift 47(7), 563–568 (1973).

    Google Scholar 

  26. Hetterscheid, W.: Schaltverhalten bei Transistoren für hohe Spannungen. Valvo Berichte 20(1), 33–44 (1975).

    Google Scholar 

  27. Mauersberger, Chr.: Probleme bei der Reihenschaltung von Thyristoren.... Elektrie 24(2), 53–55 (1970).

    Google Scholar 

  28. AEG-Leistungshalbleiter. Warstein: AEG-Telefunken. 1977.

    Google Scholar 

  29. Köhl, G.: Steuermechanismus und Aufbau bilateral schaltender Thyristoren. Scientia Electrica 12, 123–132 (1966).

    Google Scholar 

  30. Herlet, A., und P. Voss: State of the Art in Power Semiconductor Devices, in [8.28].

    Google Scholar 

  31. Irminger, G.: Beschaltung von Thyristoren. Brown-Boveri-Mitteilungen 53(10), 657–671 (1966).

    Google Scholar 

  32. Sapper, M.: Triac-Leistungsstellglieder für die Temperaturregelung. BBC-Nachrichten 55(1/2), 10–16 (1973).

    Google Scholar 

  33. Tholl, H.: Bauelemente der Halbleitertechnik. Stuttgart: Teubner. Teil 1: 1976; Teil 2: 1978.

    Book  Google Scholar 

  34. Herlet, A.: Physikalische Grundlagen der Thyristoreigenschaften. Scientia Electrica 12, 105–122 (1966).

    Google Scholar 

  35. Bertele, H.: Niederdruck-Stromrichterventile. Wien: Springer. 1952.

    Book  Google Scholar 

  36. Siemens A.G. (Hrsg.): Handbuch der Elektrotechnik. Essen: W. Girardet. 1971.

    Google Scholar 

  37. Blicher, A.: Thyristor Physics. New York-Heidelberg-Berlin: Springer. 1976.

    Book  Google Scholar 

  38. Eder, E.: Stromrichter zur Drehzahlsteuerung von Drehfeldmaschinen, Teil 3. Berlin-München: Siemens. 1975.

    Google Scholar 

  39. Porst, A.: Thyristoren mit innerer Zündverstärkung, in [3.40].

    Google Scholar 

  40. Depenbrock, M. (Hrsg.): Dynamische Probleme der Thyristortechnik. Berlin: VDE. 1971.

    Google Scholar 

  41. Kümmel, F.: Elektrische Antriebstechnik. Berlin-Heidelberg-New York: Springer. 1971.

    Book  Google Scholar 

  42. Bernhard, J. H., und B. Knuppertz: Thyristoren. Würzburg: Verlag Vogel. 1971.

    Google Scholar 

  43. Köhl, G.: Steuermechanismus und Aufbau bilateral schaltender Thyristoren. Scientia Electrica 12, 123ff. (1966).

    Google Scholar 

  44. DIN 41786.

    Google Scholar 

  45. Storm, H. F.: Introduction to Turn-Off Silicon-Controlled Rectifiers. IEEE Trans. on Communication and Electronics 82, 375–383 (1963).

    Google Scholar 

  46. Heywang, W., und H. W. Pötzl: Bänderstruktur und Stromtransport. Berlin-Heidelberg-New York: Springer. 1976.

    Book  Google Scholar 

  47. Rice, L. R.: Transistors or Thyristors? Westinghouse Reprint 77 von Machine Design, 25. November 1971.

    Google Scholar 

  48. Moll, J. L., et al.: P-N-P-N Transistor Switches. Proc. IRE 44(9), 1174–1182 (1956).

    Article  Google Scholar 

  49. Lawatsch, H., und P. DeBruyne: Sperrspannungsverlauf eines RC-beschalteten Halbleiters beim Abschaltvorgang. Brown Boveri Mitt. 62(5), 220–224 (1975).

    Google Scholar 

  50. Harnden, J. D., Jr.: 1977 Solid State Power Technology. Report 77 CRD 114. Schenectady, N.Y.: General Electric. 1977. Auch in [8.28].

    Google Scholar 

  51. McMurray, W.: Optimum Snubbers for Power Semiconductors. Report 71-C-314. Schenectady, N.Y.: General Electric. 1971. Auch in [8.32], 1971.

    Google Scholar 

  52. Shockley, W.: The Four-Layer Diode. Electronic Industries & Tele-Tech. 1957, 58-60, 161-165 (August 1957).

    Google Scholar 

  53. Seefried, E.: Schwingungsprobleme in Thyristorstromrichtern, die im Lückbetrieb arbeiten. Elektrie 31(2), 105–108 (1977).

    Google Scholar 

  54. Zoellner, N.: Ansteuerung von Thyristoren mit positivem Steuerstrom während der Sperrphase. Elektrie 30(11), 598–601 (1976).

    Google Scholar 

  55. Jaecklin, A. A., und H. Lawatsch: Zur dynamischen Phase der Thyristorzündung. Bull. SEV 68(6), 229–303 (1977).

    Google Scholar 

  56. Birett, K.: Die Technologie der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen. Siemens Aktiengesellschaft, Sonderdruck, Bestell-Nr. 2-6300-286.

    Google Scholar 

  57. Platzöder, K.: B St P 36, ein neuer Leistungsthyristor in Volldiffusionstechnik für Spannungen bis 2500 V. Siemens-Zeitschrift 46(4), 308–311 (1972), Bestell-Nr. B13/1144.

    Google Scholar 

  58. Rost, R.: Silizium als Halbleiter. Stuttgart: Berliner Union. 1966.

    Google Scholar 

  59. Frank, H., und V. Snejdar: Halbleiter-Bauelemente, Band 1: Physik und Technik der Halbleiter Werkstoffe. Berlin: Akademie-Verlag. 1964.

    Google Scholar 

  60. Frank, H., und V. Snejdar: Halbleiter-Bauelemente, Band 2: Technik und Anwendungen der Halbleiterbauelemente. Berlin: Akademie-Verlag. 1964.

    Google Scholar 

  61. Warner, R. M.: Integrated Circuits (Design Principles and Fabrication). Motorola Series in Solid-State Electronics. Phoenix, Ariz.: Motorola.

    Google Scholar 

  62. Lambert, J. L.: Einstellung der Trägerlebensdauer in der Silizium-Technologie. Dissertation Universität Braunschweig, 1972.

    Google Scholar 

  63. Zach, F.: Entwicklungsproblematik der modernen Leistungselektronik. EuM 92(2), 89–91 (1975).

    Google Scholar 

  64. Okamura, M., T. Nagano und T. Ogawa: The Current Status of the Power Gate Turn-Off Switch (GTO), in [8.28].

    Google Scholar 

  65. Hengsberger, J., und A. Wiegand: Schutz von Thyristor-Stromrichtern größerer Leistung. ETZ-A 86(8), 263–268 (1965).

    Google Scholar 

  66. General Electric „350 A, 400 V, 1 μs“. Elektroniker 17 (8), EL 34 (1978).

    Google Scholar 

  67. Zach, F., K. Kaiser, J. Kolar und F. Haselsteiner: New Lossless Turn-on and Turn-off (Snubber) Networks for Inverters, Including Circuits for Blocking Voltage Limitation. Conference Record 1984 Power Electronics Specialists Conference, Gaithersburg/Washington, 18.-21. Juni 1984. [Erschien in erweiterter Fassung in IEEE Transactions on Power Electronics PE1 (2), 65-75(1986).]

    Google Scholar 

  68. Boehringer, A., und F. Brugger: Transformatorlose Transistor-Pulswechselrichter mit Ausgangsleistungen bis 50kVA. EuM 96(12), 538–545 (1979).

    Google Scholar 

  69. Chen, D. Y.: Power Semiconductors: fast, tough, and compact. IEEE Spectrum 24(9), 30–35 (September 1987).

    Article  Google Scholar 

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  1. Technische Universität Wien, Österreich

    Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr. techn. Franz Zach

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Zach, F. (1988). Bauelemente der Leistungselektronik. In: Leistungselektronik. Springer, Vienna. https://doi.org/10.1007/978-3-7091-2268-6_3

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