Zusammenfassung
In einem GaAs-Kristall sind die Elektronen mit einer Energie W = 138 kJ/mol gebunden. Durch Absorption von Licht können Elektronen als Ladungsträger freigesetzt werden. Dadurch wird der elektrische Widerstand eines Bauelements aus diesem Material erniedrigt.
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© 1995 Springer Fachmedien Wiesbaden
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Gerlach, E., Grosse, P., Gerstenhauer, E. (1995). Photowiderstand. In: Physik-Übungen für Ingenieure. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-12298-2_72
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