Halbleiter-Laser

Zusammenfassung

Schon unmittelbar nach der Demonstration von Rubin- (1960) und Helium-Neon-Laser (1962) wurde auch die Lasertätigkeit von Dioden oder „Halbleiter-Lasern“ vorhergesagt¹ und wenig später im Experiment realisiert. Es hat aber mehr als 20 Jahre gedauert, bis diese Komponenten zu kommerziell erfolgreichen Produkten geworden sind, weil eine Vielzahl technologischer Probleme zu überwinden war. So konnten zum Beispiel die ersten Laserdioden nur bei kryogenischen Temperaturen betrieben werden, während Anwendungen i. Allg. Betriebstemperaturen in der Nähe der Raumtemperatur fordern. Außerdem war GaAs das erste bedeutende Material zur Herstellung von Laserdioden und nicht Silizium, das ansonsten die Halbleitertechnologie dominiert. Laserdioden zählen zu den wichtigsten „optoelektronischen“ Komponenten, weil sie die direkte Umwandlung eines Stromes in (kohärentes!) Licht erlauben. Es gibt daher zahllose physikalische, technische und wirtschaftliche Gründe, diesen Komponenten und Lasersystemen ein eigenes Kapitel zu widmen.