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Elektronik pp 146-204 | Cite as

Feldeffekttransistoren

  • Heiner Herberg
Part of the Viewegs Fachbücher der Technik book series (VFT)

Zusammenfassung

In diesem Kapitel werden die Grundlagen der Feldeffekttransistor (FET)-Technik in kurzer Form dargestellt, wobei die zwei Hauptgruppen Sperrschicht-FET und Isolierschicht-FET an je einem typischen Vertreter, dem n-Kanaltyp, behandelt werden. Die Feldeffekttransistoren sind wie die Bipolartransistoren in beiden Kanaldotierungsarten (n- oder p-dotiert) herstellbar und haben dementsprechend analoge Verhaltensweisen. So ist es einfach möglich, Schlüsse auf die anderen Dotierungsvarianten zu ziehen. Auch sind Kombinationen auf einen Chip möglich, was große Anwendung in der Digitaltechnik findet. Nach einer kurzen Einführung und sehr kurz und einfach behandelten physikalischen Grundlagen werden dann die Schaltungseinsätze beschrieben, wobei viel Wert darauf gelegt wird, dass nicht der FET autonom, sondern immer im Vergleich zum Bipolartransistor zu sehen ist. Es steht damit immer die Frage, was ist gleich oder ähnlich zum Bipolartransistor und kann somit übernommen werden, und was ist, meist aus den physikalischen Bedingungen kommend, anders und zeigt die Besonderheiten des FETs.

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© Springer Fachmedien Wiesbaden 2002

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  • Heiner Herberg

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