Eigenschaften ionenimplantierter Halbleiterschichten

Zusammenfassung

Eine Vielzahl praktischer Untersuchungen befaßten sich mit dem Verhalten implantierter Ionen in Halbleitern. Die wichtigsten Aspekte sind die Menge und Verteilung (Profil) der implantierten Ionen, ihre elektrische Aktivierung und die Strahlenschädigung des Kristallgitters. Dementsprechend werden vorwiegend elektrische Messungen, und zwar Halleffekt- und Schichtwiderstandsmessungen und Rückstreumessungen vorgenommen. Eine Anzahl indirekter Methoden wird verwendet, um die Strahlenschädigung der implantierten Kristalle zu untersuchen. Dazu gehören Messungen der Volumenänderung, der Elektronenspinresonanz, der paramagnetischen Resonanz und der Veränderung des Reflexionsfaktors, um nur einige Verfahren zu nennen.