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Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb

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Part of the book series: Nachrichtentechnische Fachberichte ((NFB,volume 27))

Zusammenfassung

Bei Halbleiterbauelementen sind die Betriebsgrenzen wie bei Elektronenröhren durch Maximalstrom, Maximalspannung und zulässige Verlustleistung gegeben. Der Maximalstrom ist durch die aus Erfahrungswerten im Hinblick auf die Lebensdauer ermittelte zulässige Stromdichte im Bauelement begrenzt, die Maximalspannung ist durch die Mindestdurchbruchspannungen der Sperrkennlinien gegeben, und die Verlustleistung durch die höchste zulässige Sperrschichttemperatur und die Wärmeabfuhr an die Umgebung. Das thermische Verhalten wird heute fast durchweg durch ein elektrisches Modell nachgebildet. Spannungen entsprechen dabei Temperaturdifferenzen und Ströme den zeitlichen Änderungen von Wärmemengen. Der Eingangsstrom des Modells entspricht der je Zeitspanne erzeugten Wärmemenge, also der Verlustleistung. Zur Nachbildung des stationären Falls (konstante Verlustleistung) genügt dann eine Kombination aus elektrischen Widerständen, die den Wärmewiderständen entsprechen. Damit läßt sich bei gegebener zulässiger Sperrschichtübertemperatur die zulässige Verlustleistung leicht berechnen.

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Abbreviations

Ctha :

Wärmekapazität in axialer Richtung

Cthr :

Wärmekapazität in radialer Richtung

d X :

Differential der Größe X

Gth0 :

Wärmeleitwert Sperrschicht-Kristalloberfläche

v :

Übertemperatur allgemein

v j :

Sperrschichtübertemperatur

I CBR :

Kollektor-Basis-Reststrom bei ohmschem Widerstand zwischen Basis und Emitter

I OBR0 :

ICBR bei Raumtemperatur

I 0 :

Diodensperrstrom

l*:

„reduzierte“ Kristallänge

λ:

Wärmeleitfähigkeit

P (t):

Augenblickswert der Verlustleistung

P m :

Scheitelwert der Verlustleistung

r1, r2, d:

Abmessungen des Kristalls

R th0 :

Wärmewiderstand Sperrschicht-Kristalloberfläche

t :

Zeit

τth0 :

Wärmezeitkonstante des Kristalls

τ*:

\({\text{ = }}\frac{{4{\tau _{{\text{th}}0}}}}{{{\pi ^2}}}\)

U :

Spannung

ΔU :

Spannungsdifferenz

U D :

Diodenspannung

U T :

konstanter Spannungsfaktor

x :

Ortskoordinate

Schrifttumsverzeichnis

  1. F. Weitzsch: Zur Belastbarkeit von Transistoren bei intermittierendem Betrieb. Valvo-Berichte, Bd. VI, 1960, Nr. 1.

    Google Scholar 

  2. K. E.Mortensen: Transistor Junction Temperature as a Function of Time. Proc. IRE 45 (1957), S. 504–513.

    Google Scholar 

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© 1963 Springer Fachmedien Wiesbaden

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Frey, F. (1963). Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb. In: Wosnik, J. (eds) Transistoren bei großer Aussteuerung. Nachrichtentechnische Fachberichte, vol 27. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-04362-1_8

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-04362-1_8

  • Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden

  • Print ISBN: 978-3-663-03173-4

  • Online ISBN: 978-3-663-04362-1

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