Zusammenfassung
Wie bereits erwähnt, kann im Basisraum neben dem Diffusionsvorgang eine Feldstärke je nach Feldrichtung auf die Ladungsträger zusätzlich bremsend oder beschleunigend wirken. Sie ist beim Drifttransistor so groß, daß sie den Diffusionsvorgang größtenteils überdeckt. Erzeugt wird sie durch einen Störstellengradienten (inhomogene Störstellenverteilung) und hängt dadurch im Bereich kleiner Injektionsdichten praktisch nicht von dieser ab.
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© 1965 Springer Fachmedien Wiesbaden
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Paul, R. (1965). Drifttransistor. In: Transistoren. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02739-3_6
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-02739-3_6
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-663-00826-2
Online ISBN: 978-3-663-02739-3
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