Zusammenfassung
Infolge der elektrisch-thermischen Wechselwirkung (Zusammenhang zwischen der dem Transistor zugeführten Verlustleistung und den Wärmeabfuhrverhältnissen) und ihrer Umkehrung, der thermisch-elektrischen Wechselwirkung (Zusammenhang zwischen Sperrschichttemperatur und der Verlustleistung über die Schaltung), gibt es einen geschlossenen Wirkungskreislauf. Bei ungünstiger Schaltungsauslegung heizt sich der Transistor immer weiter auf (thermische Instabilität, thermal run-away) und wird schließlich zerstört.
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Paul, R. (1965). Thermische Stabilität und Stabilisierung. In: Transistoren. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02739-3_21
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-02739-3_21
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-663-00826-2
Online ISBN: 978-3-663-02739-3
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