Zusammenfassung
Halbleiterkristalle mit p-n-Übergang werden vielfach zum Nachweis und zur Messung von Strahlung verwendet. Voraussetzung dafür ist, daß die Strahlung imstande ist, im Kristall in Primär- oder Sekundärprozessen Elektron-Loch-Paare zu erzeugen. Wenn der p-n-Kristall in Sperrichtung gepolt ist, wird durch die zusätzlich von der Strahlung erzeugten Ladungsträger der Sperrstrom über den p-n-Übergang erhöht; wenn keine äußere Spannung angelegt wird, bildet sich am p-n-Übergang eine Spannung aus.
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© 1958 Springer Fachmedien Wiesbaden
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Gremmelmaier, R., Welker, H. (1958). p-n-Übergänge aus InP zum Nachweis von Neutronenstrahlung. In: Schön, M., Welker, H. (eds) Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02557-3_25
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-02557-3_25
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-663-00644-2
Online ISBN: 978-3-663-02557-3
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