Zusammenfassung
n-leitende Siliziumscheiben, an deren einer Oberfläche sich eine photoempfindliche p-Schicht befand, wurden mit α-Teilchen beschossen. Die Ausbeute der bei der Bremsung erzeugten Paare, die Geschwindigkeitsabhängigkeit und der zeitliche Verlauf der Ausbeute wurden aufgenommen Die Photoempfindlichkeit und die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger wurden vor und nach einer längeren Bestrahlungsdauer gemessen.
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© 1958 Springer Fachmedien Wiesbaden
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Günther, P., köhl, G. (1958). Der Einfluß von schnellen α-Teilchen auf die Eigenschaften von Silizium p-n-Photoelementen. In: Schön, M., Welker, H. (eds) Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02557-3_24
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Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-663-00644-2
Online ISBN: 978-3-663-02557-3
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