Zusammenfassung
Über neunzig Prozent der hoch- und höchstintegrierten mikroelektronischen Schaltkreise basieren auf Silizium, diesem wichtigsten Elementhalbleiter aus der 4. Periode des Periodensystems. Zwei Gründe sind dafür zu nennen: Erstens bildet Silizium ein für Isolationszwecke im einzelnen Bauelement hervorragend geeignetes Oxid SiO2, das als dichte Schicht mit ideal ausgebildetem „Interface“ zum Siliziumsubstrat hin aufwächst. Zum anderen sind die für die Mikrostrukturierung bis in den 0,1 μm Bereich hinab erforderlichen Technologien bisher nur in dem aus einer Atomsorte bestehenden Halbleiter erprobt und in großem Umfang durchführbar.
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Literatur
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Lüth, H. (1993). Halbleiterheterostrukturen: große Möglichkeiten für die Mikroelektronik und die Grundlagenforschung. In: Nanostrukturierte Materialien. Halbleiterheterostrukturen: große Möglichkeiten für die Mikroelektronik und die Grundlagenforschung. Nordrhein-Westfälische Akademie der Wissenschaften. VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-00207-9_3
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