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Halbleiter-Bauelemente – durch Verunreinigung Perfektion erreichen

  • Martin PoppeEmail author
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Zusammenfassung

In diesem Kapitel werden Halbleiter-Materialien, ihre Eigenschaften und deren Modifizierung durch das Dotieren beschrieben. Ausgehend von der Bänderstuktur der Halbleiter wird das Verhalten von PN-Übergängen, Halbleiter-Metall Kontakten und deren Durchbruchmechanismen diskutiert. Darauf aufbauend werden die Funktionen und die Kennlinien von Solarzellen, PN-, Schottky- und Zener-Dioden beschrieben. Es folgen Kennlinien und Betriebszustände der Bipolar Transistoren. Die Funktion und die Kennlinie des MOS Transistors inklusive der neuen 3D Transistoren werden aus den Eigenschaften des Dünnoxyd-Kondensators hergeleitet.

Es werden Modelle für vereinfachte Schaltungsberechnungen vorgestellt und diskutiert. Mit Hilfe dieser Modelle werden Tests auf die jeweiligen Betriebszustände entwickelt.

Es folgt die Beschreibung der Funktionsweise und Einsatzfelder von Thyristoren, Leistungstransistoren und IGBTs.

Literatur

  1. Nagel LW, Pederson DO (1973) Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE), siehe www.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/1973/ERL-382.pdf. Zugegriffen: 2017
  2. Hunklinger S (2014) Festkörperphysik, 4. Auflage. De Gruyter Oldenbourg, ISBN 978-3-486-75558-9 Google Scholar
  3. siehe Intel 22nm 3D-Tri-Gate-Transistoren auf www.youtube.com/watch?v=v2gDMj42sIM. Zugegriffen: 2018
  4. Küpfmüller K, Mathis W, Reibiger A (2008) Theoretische Elektrotechnik. 20. Auflage Springer, ISBN 978-3-662-54836-3 Google Scholar
  5. Neundorf D, Pfendtner R, Popp H-P (1997) Elektrophysik. Springer Berlin, ISBN 540-62996-3 Google Scholar
  6. Göbel H (2014) Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik. Springer, Berlin, 5. Auflage, ISBN 978-3-642-53869-8 Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018

Authors and Affiliations

  1. 1.Fachhochschule MünsterSteinfurtDeutschland

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