FIB - Ionenfeinstrahltechnik

Zusammenfassung

Dieses, meist Focused Ion Beam (FIB) genannte Verfahren hat sehr viele Parallelen zur Rasterelektronenmikroskopie, weshalb man diese Technik häufig mit letzterer in einem Zweistrahlgerät kombiniert. Der wesentliche Unterschied zwischen beiden Verfahren besteht in der Art der Primärteilchen, welche beim FIB meist Galliumionen aus einer Flüssigmetallionenquelle sind. Diese werden in Richtung der Probe beschleunigt, fein fokussiert und in einem genau definierten Probenbereich gerastert, wo gezielt Material abgesputtert wird. An den Seitenwänden des entstehenden Sputterkraters liegen danach nahezu artefaktfreie Querschnitte vor, welche für REM-Querschnittsabbildungen genutzt werden. Auch für das TEM ist dies eine Standardpräparationsmethode.