Zusammenfassung
Für das Verfahren ist ein REM oder besser ein FIB erforderlich. Die durch den Primärstrahl erzeugten elektrischen Ladungen führen zu lokalen Aufladungen auf der Probenoberfläche. Aus positiv geladenen Bereichen können nur sehr wenige Sekundärelektronen die Oberfläche verlassen. Dies führt zu Kontrasten, welche Aussagen über die elektrische Funktion der betreffenden Struktur zulassen. Das Verfahren wird meist in der Halbleiterfertigung zur Lokalisierung elektrischer Fehler benutzt.
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Bauch, J., Rosenkranz, R. (2017). VC - Potenzialkontrast. In: Physikalische Werkstoffdiagnostik. Springer Vieweg, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-53952-1_20
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