Zusammenfassung
Für beide Verfahren ist zwingend ein Rasterelektronenmikroskop notwendig. Beim EBIC erzeugen die in die Probe eindringenden Primärelektronen Elektronen-Loch-Paare, wenn sie auf einen Halbleiter treffen. Beim EBAC entsteht ein Stromfluss durch die vom Primärstrahl stammenden Elektronen, vermindert um die Rückstreu- und Sekundärelektronenemission. Die erzeugten Ströme werden einem hochempfindlichen Verstärker zugeführt und anschließend als Bildsignal in die Videoeinheit des REMs eingespeist. Damit lassen sich elektrische Fehler auf dem Chip lokalisieren.
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Bauch, J., Rosenkranz, R. (2017). EBIC - Electron Beam Induced Current, EBAC - Electron Beam Absorbed Current. In: Physikalische Werkstoffdiagnostik. Springer Vieweg, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-53952-1_17
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