Zusammenfassung
Trotz der Erfolge, die das Modell des freien Elektronengases in der Beschreibung von Kristallelektronen gebracht hat (siehe Kap. 6), sind die Annahmen: I) Einelektronennäherung, II) keine Wechselwirkung zwischen den Elektronen, III) Kastenpotential natürlich zu stark vereinfachend, als daß man annehmen könnte, daß mit Hilfe dieses Modells z.B. wesentliche elektronische und optische Eigenschaften von Halbleitern beschrieben werden könnten. Stellt man sich insbesondere, wie in Abschn. 1.1 kurz angedeutet, den Festkörper durch allmähliche Annäherung von anfangs freien Atomen entstanden vor, so sollte sich auch im Festkörper noch die diskrete Natur der Energieniveaus des einzelnen freien Atoms widerspiegeln. Diskret liegende Energieniveaus müssen z. B. vorhanden sein, um scharfe, resonanzartige Strukturen in optischen Spektren zu erklären. Dem trägt das Modell des freien Elektronengases keine Rechnung. Auch die Natur von Halbleitern und Isolatoren läßt sich in diesem Modell nicht verstehen. Wie in Kap. 1 kurz angedeutet, muß hierzu berücksichtigt werden, daß im Festkörper die elektronischen Zustände sogenannte Bänder bilden, die aus Zuständen des freien Atoms entstanden gedacht werden können.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
M. Cardona, L. Ley (eds.): Photoemission in Solids I, II, Topics in Applied Physics, Vol. 26, 27 (Springer, Berlin, Heidelberg, New York 1979)
B. Feuerbacher, B. Fitton, R.F. Willis (eds.): Photoemission and the Electronic Properties of Surfaces (John Wiley and Sons, New York 1978)
H. Lüth, G.W. Rubloff, W.D. Grobmann: Solid State Commun. 18, 1427 (1975)
Spezielle Literatur
W. Shockley: Electrons and Holes in Semiconductors (Van Nostrand, New York 1950)
L.P. Howard: Phys. Rev. 109, 1927 (1958)
B. Segall: Phys. Rev. 124, 1797 (1961)
R. Courths, S. Hüfner: Physics Reports 112, 55 (1984)
H. Eckhardt, L. Fritsche, J. Noffke: J. Phys. F14, 97 (1984)
F. Herman, R.L. Kortum, C.D. Kuglin, J.L. Shay: In II-VI Semiconducting Compounds, ed. by D.G. Thomas (Benjamin, New York 1967)
T.H. Upton, W.A. Goddard, C.F. Melius: J. Vac. Sci. Technol. 16, 531 (1979)
Weiterführende Literatur
Brillouin, L.: Wave Propagation in Periodic Structures (Academic Press, New York 1960)
Callaway, J.: Energy Band Theory (Academic Press, New York 1964)
Harrison, W.A.: Pseudopotentials in the Theory of Metals (Benjamin, New York 1966)
Herrmann, R., Preppernau, U.: Elektronen im Kristall (Springer, Wien, New York 1979)
Jones, H.: The Theory of Brillouin-Zones and Electronic States in Crystals (North-Holland, Amsterdam 1962)
Loucks, T.L.: Augmented Plane Wave Method (Benjamin, New York 1967)
Madelung, O.: Introduction to Solid-State Theory, Springer Series in Solid State Sciences, Vol. 2 (Springer, Berlin, Heidelberg, New York 1978)
Skriver, H.L.: The LMTO Method, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 41 (Springer, Berlin, Heidelberg, New York 1984)
Wilson, A.H.: The Theory of Metals, 2nd ed. (Cambridge University Press, London, New York 1965)
Rights and permissions
Copyright information
© 1990 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Ibach, H., Lüth, H. (1990). Elektronische Bänder in Festkörpern. In: Festkörperphysik. Periodensystem der Elemente. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-35366-0_7
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-35366-0_7
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-52193-8
Online ISBN: 978-3-662-35366-0
eBook Packages: Springer Book Archive