Über die elektrische Leitfähigkeit des technischen Aluminiums

Zusammenfassung

In einer früheren Arbeit von G. Masing und G. Hohorst^l) war der Einfluß der häufigsten Beimengungen des technischen Aluminiums, des Siliciums und des Eisens auf seine Leitfähigkeit untersucht worden. Der Einfluß des Siliciums ist erheblich stärker als der des Eisens. Das hat seine Gründe darin, daß erstens das Silicium bei Temperaturen in der Nähe des Schmelzpunktes des Aluminiums bis etwa 1,5% als Mischkrystall aufgenommen wird²), während beim Eisen eine Mischkrystallbildung mit Aluminium bisher nicht nachgewiesen werden konnte. Bei 0,36% Fe-Gehalt konnte bereits im Schliff ein Eutektikum zwischen Al und der Verbindung FeA1₃ wahrgenommen werden³). Ferner ist anzunehmen, daß auch im Mischkrystall die Leitfähigkeit durch gleiche Gewichtszusätze des Siliciums etwa doppelt so stark beeinflußt werden muß wie durch Eisen, entsprechend dem doppelt so großen Atomgewicht des letzteren. Bei sinkender Temperatur fällt die Konzentration des gesättigten Al-Si-Mischkrystalls von etwa 1,5% auf weniger als 0,4% herab. Bei Temperaturen unterhalb etwa 300° kann diese Grenze nicht mehr genau verfolgt werden, weil die Reaktionsträgheit immer mehr stört und die ohnehin erheblichen Schwierigkeiten der mikroskopischen Verfolgung bei so geringen Zusätzen steigert. Mancherlei Anzeichen sprechen dafür, daß die Mischungsgrenze bei Temperaturen unterhalb 350° noch weiter nicht unerheblich sinkt.

The erratum of this chapter is available at http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-24683-2_20