Einfluß des Schaltungsgehäuses auf die Leitungsparameter der Mikrostreifenleitung

Zusammenfassung

Führt man einen auf Massepotential gehaltenen Gehäusedeckel immer näher an eine Mikrostreifenleitung heran, so erhöhen sich die Kapazitätsbeläge C’ und C₀’=C’(ε_r=1), und der relative elektrische Feldenergieanteil im Luftraum nimmt zu. Daher erniedrigen sich der Wellenwiderstand Z_L und die effektive Permittivität ε_{r, eff} =C’/C₀’. Zur genauen Berechnung der Leitungsparameter Z_L, ε _{r, eff} der Mikrostreifenleitung mit Deckel sind statische numerische Feldberechungsmethoden /2.65, 2.66, 2.71–273, 2.79, 2.80, 2.82, 2.84, 2.89, 3.26, 3.29–3.31/ oder dynamische numerische Feldberechnungsmethoden /2.22, 2.23, 2.26, 2.27, 2.29, 2.41-2.45, 2.48, 2.86, 2.87, 2.117, 3.4, 3.5, 3.35, 3.36, 3.41–3.46, 3.49, 3.97, 3.99, 3.100, 3.124/ notwendig. Leitungsparameterformeln werden durch Funktionalapproximation an numerische Ergebnisse oder durch die Addition von Teilkapazitäten hergeleitet /3.116–3.119, 3.166/.