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Rauschen pp 60-63 | Cite as

Schrotrauschen

  • Rudolf Müller
Part of the Halbleiter-Elektronik book series (HALBLEITER, volume 15)

Zusammenfassung

Am übersichtlichsten sind die Verhältnisse in einer Hochvakuumdiode, weshalb zunächst das Schrotrauschen in dieser beschrieben wird. Abbildung 27 zeigt schematisch eine Hochvakuumdiode, für die wir annehmen, daß die angelegte Spannung U B so hoch sei, daß alle aus der Glühkathode K austretenden Elektronen „sofort“ zur Anode A hin abgesaugt werden; man befinde sich im Sättigungsstrombereich. Ein einzelnes Elektron ruft in der (äußeren) Stromzuführung einen Influenzstrom (z. B. [11, S. 83, 205]) hervor, der wegen der linear mit der Zeit zunehmenden Geschwindigkeit dem in Abb. 28 rechts gezeigten Verlauf entspricht; der Stromimpuls hat die Dauer τt (Laufzeit von K nach A) und eine Fläche ∫ i dt=e, wobei e die Elementarladung ist.

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1979

Authors and Affiliations

  • Rudolf Müller
    • 1
  1. 1.Technischen Universität MünchenDeutschland

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