Zusammenfassung
Die Fertigungsausbeute hochintegrierter Schaltungen ist in erheblichem Maße von der Sauberkeit der Wafer während des gesamten Prozesses abhängig. Verunreinigungen können dabei sowohl Partikel als auch chemische Kontaminationen sein, die aus der Prozeßumgebung auf der Scheibenoberfläche adsorbiert werden. Beide Arten von Verunreinigungen können nicht streng voneinander getrennt werden, da chemische Bestandteile von Partikeln insbesondere bei Hochtemperaturprozessen in das Silizium eindiffundieren und die elektrischen oder mechanischen Eigenschaften des Materials lokal verändern können. Der folgende Abschnitt gibt einen Überblick über häufig vorkommende Arten der Verunreinigungen, ihre Herkunft und ihre Wirkung während des Herstellungsprozesses [11.1].
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Literatur
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Evelbauer, T., Schumicki, G. (1991). Reinigungsverfahren. In: Prozeßtechnologie. Mikroelektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-09540-9_11
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