Zusammenfassung
Heteroübergänge werden von zwei aneinandergrenzenden Halbleiterkristallen mit verschiedenen Bandlückenenergien gebildet. Man unterscheidet Übergänge vom selben Leitungstyp (n-n, p-p) oder Ubergänge von verschiedenem Typ (p-n). Im Idealfall handelt es sich um einen abrupten Ubergang zwischen den Materialien. In der Praxis kann man Übergänge innerhalb weniger (2 bis 3) Atomlagen realisieren. Bei Gitterfehlanpassung (> 0.1%) der beiden Halbleiter bilden sich Defektstellen an der Grenzfläche aus, die zu maßgeblichen Abweichungen vom idealen Verhalten eines Heteroiiberganges führen.
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Literatur
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Ebeling, K.J. (1992). Heteroübergänge. In: Integrierte Optoelektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-07945-4_9
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-07945-4_9
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