Zusammenfassung
Nachdem in Kap. 2 der funktionelle Aufbau und die Eigenschaften von MOS-Bauelementen besprochen wurden, gibt dieses Kapitel einen Überblick über die verschiedenen MOS-Techniken, die für integrierte MOS-Schaltungen in Frage kommen. Auch ein Entwurfsingenieur muß mit den Grundzügen der Halbleitertechnik vertraut sein, um eine gemeinsame Sprache mit dem Hersteller der integrierten Schaltungen sprechen zu können. Nur aus dem Zwiegespräch von Technologen und Schaltungsingenieuren kann die technisch beste Lösung, der günstigste Kompromiß geboren werden. Um eine integrierte MOS-Schaltung entwerfen zu können, muß man die Folge der Herstellungsprozesse und die daraus resultierenden geometrischen Dimensionen eines MOSTransistors kennen. Dazu betrachten wir die heute wichtigsten Techniken, nämlich den Prozeß zur Herstellung eines p-Kanal-Transistors mit Aluminium-Gate, die Silizium-Gate-Technik für n-Kanal-Transistoren und die Komplementärtechnik für n-Kanal- und p-Kanal-Transistoren.
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Weiß, H., Horninger, K. (1982). MOS-Techniken. In: Integrierte MOS-Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 14. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-07944-7_3
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