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Halbleiter

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Festkörperphysik

Part of the book series: Springer-Lehrbuch ((SLB))

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Zusammenfassung

Im Abschn. 9.2 hatten wir gelernt, daß nur ein partiell gefülltes elektronisches Band zum elektrischen Strom beitragen kann. Vollständig gefüllte Bänder leisten ebensowenig einen Beitrag zur elektrischen Leitfähigkeit wie vollständig leere und ein Material, das nur vollständig gefüllte und vollständig leere Bänder aufweist, ist demnach ein Isolator. Ist der Abstand zwischen der Oberkante des höchsten gefüllten Bandes (Valenzband) und der Unterkante des niedrigsten leeren Bandes (Leitungsband) nicht zu groß (z. B. ~ 1 eV), so macht sich bei nicht zu niedrigen Temperaturen die Aufweichung der Fermi-Verteilung bemerkbar: Ein kleiner Bruchteil der Zustände in der Nähe der Oberkante des Valenzbandes bleibt unbesetzt und die entsprechenden Elektronen befinden sich im Leitungsband. Sowohl diese Elektronen als auch die im Valenzband entstandenen Löcher können elektrischen Strom tragen. In diesem Fall spricht man von einem Halbleiter. In Abb. 12.1 sind die Unterschiede zwischen Metall, Halbleiter und Isolator noch einmal schematisch dargestellt.

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Literatur

  1. F.J. Morin, J.P. Maita: Phys. Rev. 96, 29 (1954)

    Article  ADS  Google Scholar 

  2. G. Dresselhaus, A. F. Kip, C. Kittel: Phys. Rev. 98, 368 (1955)

    Article  ADS  Google Scholar 

  3. K. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper: Phys. Rev. B 28, 4886 (1983)

    Article  Google Scholar 

  4. M.A. Paalonen, D.C. Tsui, A.C. Cossard: Phys. Rev. B 25, 5566 (1982)

    Article  ADS  Google Scholar 

  5. H. Lüth: Surfaces and Interfaces of Solids (Springer, Berlin Heidelberg 1993) 2nd edition, S. 419

    Google Scholar 

  6. M. Janßen, O. Viehweger, U. Fastenrath, J. Hajdu: Introduction to the Theory of the Integer Quantum Hall Effect ( VCH, Weinheim 1994 )

    Google Scholar 

  7. B.J. van Wees, H. van Houten, C.W.J. Beenakker, J.W. Williamson, L.P. Kouwenhoven, D. van der Marel, C.T. Foxon: Phys. Rev. Let. 60, 848 (1988)

    Article  ADS  Google Scholar 

  8. K. Hansen, E. Laegsgaard, I. Stensgaard, F. Besenbacher: Phys. Rev. B56, 2208 (1997)

    ADS  Google Scholar 

  9. M.A. Herman, H. Sitter: Molecular Beam Epitaxy, Springer Ser. Mater. Sci., Vol. 7 ( Springer, Berlin Heidelberg 1988 )

    Google Scholar 

  10. E.H.C. Parker (Hrsg.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy ( Plenum, New York 1985 )

    Google Scholar 

  11. A. Y. Cho, K. Y. Cheng: Appl. Phys. Lett. 38, 360 (1981)

    Article  ADS  Google Scholar 

  12. XVII.4) E. Kasper, H.-J. Herzog, H. Dämbkes, Th. Richter: Growth Mode and Interface Structure of MBE Grown SiGe Structures, in Two-Dimensional Systems: Physics and New Devices ed. by G. Bauer, F. Kuchar, H. Heinrich, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 67 (Springer, Berlin Heidelberg 1986)

    Google Scholar 

  13. Proc. ICMOVPE I, J. Crystal Growth 55 (1981) Proc. ICMOVPE II, J. Crystal Growth 68 (1984)

    Google Scholar 

  14. W. Richter: Physics of Metal Organic Chemical Vapour Deposition, in Festkiirperprobleme XXVI (Adv. Solid State Phys. 26 ) ed. by P. Grosse ( Vieweg, Braunschweig 1986 ) p. 335

    Google Scholar 

  15. H. Heinecke, E. Veuhoff, N. Piitz, M. Heyen, P. Balk: J. Electron. Mater. 13, 815 (1984)

    Article  ADS  Google Scholar 

  16. C. Plass, H. Heinecke, O. Kayser, H. Liith, P. Balk: J. Crystal Growth 88, 455 (1988)

    Article  ADS  Google Scholar 

  17. XVII.8) H. filth: in Surf. Science 299/300, 867 (1994)

    Google Scholar 

Spezielle Literatur

  1. J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen: Phys. Rev. B 14, 556 (1976)

    Article  ADS  Google Scholar 

  2. J.H. Reuszer, P. Fischer: Phys. Rev. 135, A 1125 (1964)

    Google Scholar 

  3. E.M. Conwell: Proc. IRE 40, 1327 (1952)

    Article  Google Scholar 

  4. S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn. ( Wiley, New York 1969 )

    Google Scholar 

  5. B. Gelmont, K. Kim, M. Shur: J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993)

    Article  ADS  Google Scholar 

  6. H. Lüth: Surfaces and Interftaces of Solid Materials, 3rd edn. ( Springer, Berlin Heidelberg 1995 )

    Book  Google Scholar 

  7. G. Margaritondo, P. Perfetti: The Problem of Heterojunction Band Discontinuities, in Heterojunction Band Discontinuities, Physics and Device Applications, ed. by F. Capasso, G. Margaritondo ( North-Holland, Amsterdam 1987 ) p. 59

    Google Scholar 

  8. H. Morkoç: Modulation-doped AI Gai,As/GaAs Hetero-structures, in The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, ed. by E. H.C. Parker ( Plenum, New York 1985 ) p. 185

    Google Scholar 

  9. L. Esaki: Compositional Superlattices, in The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, ed. by E.H.C. Parker ( Plenum, New York 1985 ) p. 185

    Google Scholar 

  10. A. Förster: Private Mitteilung (ISI, Forschungszentrum Jülich)

    Google Scholar 

  11. H. Heinecke, K. Werner, M. Weyers, H. Lütb, P. Balk: J. Crystal Growth 81, 270 (1987)

    Article  ADS  Google Scholar 

  12. F. Capasso (ed.): Physics of Quantum Electron Devices, Springer Ser. Electron. Photon., Vol. 28 ( Springer, Berlin Heidelberg 1989 )

    Google Scholar 

  13. U. Tietze, Ch. Schenk: Halbleiterschaltungstechnik ( Springer, Berlin Heidelberg 1983 )

    Google Scholar 

  14. K. Schimpf, M. Sommer, M. Horstmann, M. Holifelder, A. van der Hart, M. Marso, P. Kordos, H. Lütb: IEEE Electron Device Letters 18, 144 (1997)

    Article  ADS  Google Scholar 

  15. H.-M. Mühlhoff, D.V. McCaughan: MOS Transistors and Memories, in Handbook of Semiconductors, Vol. 4, ed. by T.S. Moss, C. Hilsum ( North-Holland, Amsterdam 1993 ) p. 265

    Google Scholar 

  16. H. Kressel, D.E. Ackley: Semiconductor Lasers, in Handbook of Semiconductors, Vol. 4, ed. by T.S. Moss, C. Hilsum ( North Holland, Amsterdam 1993 ) p. 725

    Google Scholar 

Weiterführende Literatur

  • Allan, G., Bastard, G., Boccara, N., Lanoo, M., Voos, M. (eds.): Heterojunctions and Semiconductor Superlattices ( Springer, Berlin Heidelberg 1986 )

    Google Scholar 

  • Bauer, G., Kuchar, F., Heinrich, H. (eds.): Two-dimensional Systems: Physics and New Devices, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 67 ( Springer, Berlin Heidelberg 1986 )

    Google Scholar 

  • Brauer, W., Streitwolf, H. W.: Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik ( Akademie-Verlag, Berlin 1976 )

    Google Scholar 

  • Buchreihe: Halbleiter-Elektronik, Bd. 1–20, ed. by W. v. Heywang, R. Müller (Springer, Berlin Heidelberg)

    Google Scholar 

  • Capasso, F., Margaritondo, G. (eds.): Heterojunction Band Discontinuities, Physics and Device Applications ( North-Holland, Amsterdam 1987 )

    Google Scholar 

  • Chang, L.L., Ploog, K. (eds.): Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures, NATO ASI Ser. E, No. 87 ( Martinus Nijhoff, Dordrecht 1985 )

    Google Scholar 

  • Kelly, M.J.: Low-Dimensional Semiconductors, Materials, Physics, Technology, Devices ( Clarendon Press, Oxford 1995 )

    Google Scholar 

  • Lanoo, M., Bourgoin, J.: Point Defects in Semiconductors I and II, Springer Ser. Solid-State Sci., Vols. 22, 35 (Springer, Berlin Heidelberg 1981, 1983 )

    Google Scholar 

  • Madelung, O.: Grundlagen der Halbleiterphysik, Heidelberger Taschenbuch, Bd. 71 ( Springer, Berlin Heidelberg 1970 )

    Book  Google Scholar 

  • Nizzoli, F., Rieder, K.-H., Willis, R. F. (eds.): Dynamical Phenomena at Surfaces, Interfaces and Superlattices, Springer Ser. Surf. Sci., Vol 3 ( Springer, Berlin Heidelberg 1985 )

    Google Scholar 

  • Parker, E. H. C. (ed.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy ( Plenum, New York 1985 )

    Google Scholar 

  • Reggiani, L. (ed.) Hot-Electron Transport in Semiconductors, Topics Appl. Phys., Vol. 58 ( Springer, Berlin Heidelberg 1985 )

    Google Scholar 

  • Seeger, K.: Semiconductor Physics, 4th edn., Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 40 ( Springer, Berlin Heidelberg 1988 )

    Google Scholar 

  • Shklovskii, B., Efros, A. L.: Electronic Properties of Doped Semiconductors, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 45 ( Springer, Berlin Heidelberg 1984 )

    Google Scholar 

  • Shockley, W.: Electrons and Holes in Semiconductors ( Van No-strand, Princeton 1950 )

    Google Scholar 

  • Spenke, E.: Elektronische Halbleiter ( Springer, Berlin Heidelberg 1965 )

    Book  Google Scholar 

  • Sze, S. M.: Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn. ( Wiley, New York 1969 )

    Google Scholar 

  • Ueta, M., Kanzaki, H., Kobayashi, K., Toyozawa, Y., Hanamura, E.: Excitonic Processes in Solids, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 60 ( Springer, Berlin Heidelberg 1986 )

    Google Scholar 

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Ibach, H., Lüth, H. (1999). Halbleiter. In: Festkörperphysik. Springer-Lehrbuch. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-07211-0_12

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