Zusammenfassung
Im Abschn. 9.2 hatten wir gelernt, daß nur ein partiell gefülltes elektronisches Band zum elektrischen Strom beitragen kann. Vollständig gefüllte Bänder leisten ebensowenig einen Beitrag zur elektrischen Leitfähigkeit wie vollständig leere und ein Material, das nur vollständig gefüllte und vollständig leere Bänder aufweist, ist demnach ein Isolator. Ist der Abstand zwischen der Oberkante des höchsten gefüllten Bandes (Valenzband) und der Unterkante des niedrigsten leeren Bandes (Leitungsband) nicht zu groß (z. B. ~ 1 eV), so macht sich bei nicht zu niedrigen Temperaturen die Aufweichung der Fermi-Verteilung bemerkbar: Ein kleiner Bruchteil der Zustände in der Nähe der Oberkante des Valenzbandes bleibt unbesetzt und die entsprechenden Elektronen befinden sich im Leitungsband. Sowohl diese Elektronen als auch die im Valenzband entstandenen Löcher können elektrischen Strom tragen. In diesem Falle spricht man von einem Halbleiter. In Abb. 12.1 sind die Unterschiede zwischen Metall, Halbleiter und Isolator noch einmal schematisch dargestellt.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
F.J. Morin, J.P. Maita: Phys. Rev. 96, 29 (1954)
K.v. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper: Phys. Rev. B 28, 4886 (1983)
M.A. Paalonen, D.C. Tsui, A.C. Gossard: Phys. Rev. B 25, 5566 (1982)
T. Chakraborty, P. Pietiläinen: The Fractional Quantum Hall Effect, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 85 ( Springer, Berlin, Heidelberg 1988 )
M.A. Herman, H. Sitter: Molecular Beam Epitaxy, Springer Ser. Mat. Sci., Vol. 7 ( Springer, Berlin, Heidelberg 1988 )
E.H.C. Parker (Hrsg.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy ( Plenum, New York 1985 )
A.Y. Cho, K.Y. Cheng: Appl. Phys. Lett. 38, 360 (1981)
E. Kasper, H.-J. Herzog, H. Dämbkes, Th. Richter: Growth Mode and Interface Structure of MBE grown SiGe structures, in Two-Dimensional Systems: Physics and New Devices,ed. by G. Bauer, F. Kuchar, H. Heinrich, Springer Ser. Solid-State Sci., Vol. 67, (Springer, Berlin, Heidelberg 1986)
Proc. ICMOVPE I, J. Crystal Growth 55 (1981) Proc. ICMOVPE II, J. Crystal Growth 68 (1984), W. Richter: Physics of Metal Organic Chemical Vapour Deposition, in Festkörperprobleme XXVI (Advances in Solid State Physics 26) ed. by P. Grosse (Vieweg, Braunschweig1986) p. 335
H. Heinecke, E. Veuhoff, N. Pütz, M. Heyen, P. Balk: J. Electron. Mat. 13, 815 (1984)
XVII.7 C. Plass, H. Heinecke, O. Kayser, H. Lüth, P. Balk: J. Crystal Growth (im Druck)
H. Liith: Metalorganic Molecular Beam Epitaxy (MOMBE), in Proc. ESSDERC 1986, Cambridge, GB, Inst. Phys. Conf. Ser. 82, 135 (1986)
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1988 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Ibach, H., Lüth, H. (1988). Halbleiter. In: Festkörperphysik. Springer-Lehrbuch. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-07210-3_12
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-07210-3_12
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-19087-5
Online ISBN: 978-3-662-07210-3
eBook Packages: Springer Book Archive