Zusammenfassung
Feldeffekttransistoren (FETs) sind Halbleiterbauelemente, deren Leitfähigkeit zwischen den Elektroden Source (Quelle, S) und Drain (Senke, D) durch ein elektrisches Feld beeinflußt wird, welches man durch Anlegen einer Spannung an die Gate-Elektrode (Tor, G) erzeugt. Hierbei werden bewegliche Elektronen (N-Leitung) oder Löcher (P-Leitung) aus dem selbstleitenden oder selbstsperrenden Kanal zwischen S und D verdrängt (Verdrängungs- oder ‚depletion type‘ FET) beziehungsweise in ihm angereichert (Anreicherungs- oder ‚enhancement type‘ FET). Hinsichtlich ihres Kleinsignalverhaltens können FETs (im Abschnürbereich) als spannungsgesteuerte Stromgeneratoren mit einer Transduktanz oder Steilheit S (in mA/V =mS) beschrieben werden.
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Weddigen, C., Jüngst, W. (1986). Feldeffekttransistoren (FETs). In: Elektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-06985-1_9
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-06985-1_9
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