Zusammenfassung
Der Injektionstransistor ist ein Dreischichtelement, entweder mit einer pnp- oder einer npn-Struktur. Die Funktion des Injektionstransistors soll nachfolgend am npn-Transistor erklärt werden.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literaturverzeichnis
Kapitel 3 Bipolare Transistoren
Antognetti, P.; Massobrio, G. Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill Verlag, New York, 1988
Bardeen, J.; Brattain, W. H. The Transistor, a Semiconductor Triode. Phys. Rev. 74 (1948), S. 230–231
Beatty, B. A.; Krishna, S.; Adler, M. Second Breakdown in Power Transistors due to Avalanche. IEEE Trans. Electron Devices ED-23 (1976), S. 851–857
Blackburn, D. L. Failure Mechanism and Nondestructive Testing of Power Bipolar and MOS Gated Transistosrs MADEP-EPE 1991 Florenz, S. 0–252 – 0–257
Blackburn, D. L.; Berning, D. W. Some Effects of Base Current on Transistor Switching and Reverse-Bias Second Breakdown. IEDM Techn. Digest (1978), Washington, S. 671–675
[90] Boehringer, Andreas; Brugger, FritzTransformatorlose Transistor-Pulsumrichter mit Ausgangsleistung bis 50 kVA E und M, Jahrg. 96, Heft 12, S. 538–545
Boehringer, Andreas; Knöll HelmutTransistorschalter im Bereich hoher Leistungen und Frequenzen etz, Band 100, Heft 13 (1979), S. 664–670
Chudobiak, W. J. The Saturation Characteristics of npn Power Transistors. IEEE Trans. Electron Devices ED-17 (1970), S. 843–852
Ebers, J. J.; Moll, J. L. Large Signal Behavior of Junction Transistors. Proc. IRE 42 (1954), S. 1761–1772
Fratelli, L.; Busatto, G. et. al. Analysis of Second Breakdown Limits in RBSOA of Bipolar Transistors EPE 1993 Brighton, S. 101–106
Fujitsu Power Transistor Manual
Hendriks, Jozef H. A Novel Power Transistor Drive Circuit For PWM Power Converters International Power Conversion′80 Official Supplement Proc. of the Second International Powerconversion ConferenceMünchen, 3.–5.09.1980
Hower, P. L. Application of a Charge-Control Model to High Voltage Power Transistors. IEEE Trans. Electron Devices ED-23 (1976), S. 863–870
Hower, P. L. Optimum Design of Power Transistor Switches. IEEE Trans. Electron Devices ED-20 (1973), S. 426–435
Hower, P. L. A New Method of Characterizing the Switching Performance of Power Transistors. IEEE Ind. App. Soc. Conf. Record, Toronto, 1978, S. 1044–1049
Hower, P. L.A Model for Turn-Off in Bipolar Transistors. IEDM Techn. Digest (1980), Washington, S. 289–292
Hower, P. L. Bipolar Transistors: Semiconductor Devices for Power Conditioning Plenum Press, NY and London 1981
Hower, P. L.; Reddy, V. G. K. Avalanche Injection and Second Breakdown in Transistors. IEEE Trans. Electron Devices ED-17 (1970), S. 320–355
Hwang, K.; Navon, D. H.; Tang, T. W.; Hower, P. L. Second Breakdown Prediction by Two-Dimensional Numerical Analysis of BJT Turn-Off Ieee Trans. Electron Devices, vol. ED-33, S. 1067–1072, July 1986
Kannam, P.J Effect of Emitter Doping on Device Characteristics. IEEE Trans. ED-20 (1973), S. 845–851
Kennedy, D. P.; O’Brien, R. R. Avalanche Breakdown Characteristics of a Diffused pn-Junction. IRE Trans. Electron Devices ED-9 (1962), S. 478–483
Lafore, D.; Arnould, J. Darlington Analysis of Dynamic Current Exchange EPE 1993 Brighton, S. 385–389
Mertens, R. P.; DeMan, H. J.; Overstraten, R. J. van: Calculation of the Emitter Efficiency of Bipolar Transistors. IEEE Trans. ED-20 (1973), S. 772–778
Miller, G.; Porst, A.; Strack, H. An Advanced High Voltage Bipolar Power Transistor with extended RBSOA using 5 Micron small Emitter Structures IEEE IEDM Tech. Dig., S. 142–145, 1985
Miller, G.; Porst, A.; Strack, H. SIRET Siemens Forschungs- und Entwicklungsberichte BD 17 (1988) Nr.1, SpringerVerlag 1988
Nakatani, Y. et al.A New Ultra-High Speed High Voltage Switching Transistor. Proc. POWERCON 7, Paper J3, San Diego, 1980
Navon, D.; Lee, R. E. Effect of Non-Uniform Emitter Current Distribution on Power Transistor Stability. Sol. State Electr. 13 (1970), S. 981–991
Olmstead, J.; et al. High Level Current Gain in Bipolar Power Transistors. RCA Rev. 32 (1971), S. 222–246
Phillips, A. B. Transistor Engineering Mc Graw Hill 1962
Porekh, P. C; Steenbergen, J. The Three Keys to Good Transistor Design. Microwaves (Aug. 1973), S. 40–44
Rein, H. M.; Schad, T.; Zühlke, R. Der Einfluß des Bahnwiderstandes und der Ladungsträgermultiplikation auf das Ausgangskennlinienfeld von Planartransistoren. Sol. State Electr. 15 (1972), S. 481–500
Scarlett, R. M.; Shockley, W. Secondary Breakdown and Hot Spots in Power Transistors. IEEE Int. Conf. Rec. 11, Part III (1963), S. 3–13
Schaft, H.A. Second Breakdown, a Comprehensive Review. Proc. IEEE 55 (1967), S. 1272–1288
Schrenk, H. Bipolare Transistoren. Springer Verlag, Berlin, 1978
Schrenk, H. Das Schalten mit dreifachdiffundierten Transistoren. Techn. Mitt. Siemens AG (1976)
Schrenk, H. Eigenschaften von Silizium-Leistungstransistoren. Siemens-Z. 46 (1972), S. 179–184
Shockley, W. The Theory of pn-Junction Transistors. Bell Syst. Techn. J. 28 (1949), S. 435–489
Shockley, W.; Read, W.T Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons. Phys. Rev. 87 (1952), S. 835–842
Smith, Marvin W. Power Transistor Applications For Switching Regulators And Motor Control General Electric Company, Semiconductor Products Department, Note 200.87Auburn, New York, 10/1979
Spenke, E. Elektronische Halbleiter. Springer Verlag, Berlin, 1965
Thakur, D. K.; Kumar, A. et. al. Darlington and Parallel Operations in Monoithically Integrated BIMOS Transistor Chip IAS 1993, S. 1327–1331
Weidlich, H. Stromkonzentration bei Hochfrequenz-Leistungstransistoren. Siemens Forsch. u. Entw. Ber. 3 (1974), S. 43–47
Weitsch, F. Zur Theorie des zweiten Durchbruchs bei Transistoren. Arch. elektr. Übertr. 19 (1965), S. 27–42
Whittier, R. J.; Tremere, D. A. Current Gain and Cutoff Frequency Falloff at High Currents. IEEE Trans. Electron Devices ED-16 (1969), S. 39–57
Wölfle, R. Schnelle hochsperrende Silizium-Leistungstransistoren. Siemens-Z. 46 (1972), S. 177–179
Wüstehube, J. SOAR — sicherer Arbeitsbereich für Transistoren. Valvo-Ber. 19 (1975), Hamburg, S. 171–222
Zühlke, R. Erster und zweiter Durchbruch bei Transistoren. Dissertation, Stuttgart, 1971
Anordnung zur Verbesserung der Kommutierungsverhältnisse bei Umformungseinrichtungen mit gesteuerten Entladungsstrecken Reichspatentamt — Patentschrift Nr. 663388 Klasse 21d 2 Gruppe 1203, (14. Juli 1938)
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1996 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Schröder, D. (1996). Bipolarer Transistor (Injektionstransistor). In: Elektrische Antriebe 3. Springer-Lehrbuch. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-06952-3_4
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-06952-3_4
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-57608-2
Online ISBN: 978-3-662-06952-3
eBook Packages: Springer Book Archive